时间：2025/6/26 8:33:52
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EEETG1J101UP 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。它适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种工业电子设备中。
EEETG1J101UP 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具备出色的散热特性和电气稳定性，适合在严苛的工作环境下使用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：1790pF
开关时间（开启/关闭）：8ns/15ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
EEETG1J101UP 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频应用场景，能够满足现代电子设备对效率和小型化的需求。
3. 出色的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持稳定的性能。
4. 强大的电流承载能力，支持高达 14A 的连续漏极电流。
5. 宽泛的工作温度范围，能够在极端环境条件下正常运行。
6. 可靠性高，经过严格的质量测试和验证，确保长期使用的稳定性。
EEETG1J101UP 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 各类 DC-DC 转换器，用于电压调节和能量传输。
3. 电机驱动电路，控制直流或无刷电机的运行状态。
4. 工业自动化设备中的功率管理单元。
5. 电池管理系统（BMS），用于保护和优化电池组的性能。
6. LED 驱动电路，提供高效的亮度调节功能。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP5500
IXFK40N10T2
