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EEEFTH101XAP 发布时间 时间:2025/4/29 14:11:03 查看 阅读:9

EEEFTH101XAP是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款器件属于增强型N沟道MOSFET,适合在高频开关电路中使用。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和散热优化。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:开启时间 12ns,关断时间 18ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

EEEFTH101XAP具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速的开关性能,确保在高频应用中的出色表现。
  3. 高耐压能力,使其能够在复杂环境中稳定运行。
  4. 强大的热稳定性设计,支持长时间高温操作。
  5. 紧凑的封装尺寸,节省PCB空间同时简化布局设计。

应用

EEEFTH101XAP适用于多种电子设备和系统,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动与控制模块。
  3. 太阳能逆变器及储能系统。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电动汽车充电桩和电池管理系统(BMS)。
  6. 高效LED驱动器以及通信电源解决方案。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, STP55NF06L

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EEEFTH101XAP参数

  • 安装类型表面
  • 容差±20%
  • 容差 正+20%
  • 容差 负-20%
  • 寿命时间2000h
  • 封装/外壳D8
  • 尺寸6.3 Dia. x 7.7mm
  • 引线直径0.65mm
  • 引线节距1.8mm
  • 最低工作温度-55°C
  • 最高工作温度+105°C
  • 泄漏电流50 μA
  • 电压50 V 直流
  • 电容值100μF
  • 直径6.3mm
  • 等值串联电阻值0.34Ω
  • 纹波电流350mA
  • 结构金属罐
  • 高度7.7mm