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EEEFTC331XAP 发布时间 时间:2025/5/10 19:40:57 查看 阅读:19

EEEFTC331XAP是一款高性能的场效应晶体管(FET),属于增强型N沟道MOSFET。该器件主要用于开关和放大应用,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特性。EEEFTC331XAP适用于多种电子设备,包括电源管理模块、电机驱动器、负载开关以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  EEEFTC331XAP采用先进的半导体制造工艺,确保其在高频工作条件下的可靠性和效率。同时,其封装设计优化了散热性能,使其能够承受较高的功率负荷。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关时间:ton=9ns, toff=18ns
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

EEEFTC331XAP具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定性能。
  4. 小尺寸封装,便于PCB布局和设计集成。
  5. 内置静电放电(ESD)保护功能,增强了器件的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

EEEFTC331XAP广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制和保护。
  3. 电机驱动电路,实现精确的速度和扭矩控制。
  4. 负载开关和保护电路,提供快速过流及短路保护。
  5. 数据通信设备中的信号切换与功率调节。
  6. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)和制动控制系统。

替代型号

IRF3205
  FDP150N06L
  AON7408

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