时间：2025/5/21 23:45:31
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EEEFT1H100AR 是一款高性能的 N 沣道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低功耗。
EEEFT1H100AR 的封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK，适合高功率密度的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关时间：ton=9ns, toff=17ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
EEEFT1H100AR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功耗。
2. 快速的开关速度，有助于降低开关损耗，并适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 良好的热性能设计，可有效提升散热能力。
5. 支持宽广的工作温度范围，适应多种恶劣环境。
EEEFT1H100AR 常见的应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器中作为功率开关元件。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP5500
