类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VCEO）：70 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300 mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（测试条件：IF = 5 mA, VCE = 5 V）
　　上升时间（tr）：2 μs（典型值）
　　下降时间（tf）：2 μs（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟）
　　封装形式：DIP-4
　　引脚数量：4

EE-1003A的核心优势在于其高电流传输比（CTR）和稳定的电气隔离性能。在典型的测试条件下，当输入正向电流为5mA且集电极-发射极电压为5V时，其CTR范围可达50%至600%，这意味着即使在较小的驱动电流下，也能实现较强的输出信号响应，从而提高系统效率并降低功耗。这种宽范围的CTR表现使其适用于多种负载条件下的信号传递任务，尤其适合在低功耗控制系统中使用。此外，该器件具备快速的开关响应能力，上升时间和下降时间均为2μs左右，能够满足中高速数字信号隔离的需求，例如在PWM信号传输或脉冲编码通信中表现出色。
　　该光耦采用高透明度模塑化合物封装，确保红外光从LED高效传输到光电晶体管的基区，提升光电转换效率。其内部结构经过优化设计，具有良好的线性度和温度稳定性，在-55°C至+110°C的工作温度范围内仍能保持可靠的性能输出，适用于严苛的工业环境。器件的输入与输出之间提供高达5000Vrms的隔离电压，有效防止接地环路引起的噪声干扰以及高压瞬变对敏感控制电路的损害，显著增强系统的抗干扰能力和安全性。同时，该器件具备出色的耐湿性和长期可靠性，通过了UL、cUL、VDE等国际安规认证，确保在医疗设备、工业控制、电源管理等领域中的合规应用。由于其DIP-4封装形式兼容传统插件工艺，也便于手工焊接与维修，适合中小批量生产和原型开发使用。

EE-1003A广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压采样信号安全地传送到初级侧控制器，以实现精确稳压的同时保证高低压之间的绝缘安全。在工业控制系统中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现现场传感器与中央处理单元之间的信号隔离，避免外部电磁干扰影响控制精度。在微处理器与外围设备接口设计中，EE-1003A可用于串行通信线路（如UART、RS-232电平转换）的隔离，防止不同地电位导致的数据错误或设备损坏。此外，它也被用于电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、智能电表以及家用电器中的控制电路中，作为状态检测、故障报警或使能信号的隔离传输通道。由于其良好的温度适应性和长期稳定性，该器件同样适用于汽车电子辅助系统、楼宇自动化和安防监控设备等复杂环境中。

EL3H7(TA)-G
　　LTV-817S-TA1
　　PC817X1NSZ0F
　　TLP521-1GB