时间：2025/12/25 10:27:26
阅读：18
EDZVT2R6.2B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于EDZV系列。该系列二极管专为高精度电压参考和稳压应用而设计，具有低动态阻抗、良好的温度稳定性和高可靠性。EDZVT2R6.2B的标称齐纳电压为6.2V，这是许多硅基齐纳二极管中温度系数接近零的典型电压值，因此在需要稳定参考电压的电路中表现出色。该器件采用小型表面贴装SOD-323（T2）封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号调理模块以及各种模拟接口中。其制造工艺符合AEC-Q101汽车级标准，表明其适用于对可靠性和环境耐受性要求较高的工业和汽车电子系统。此外，该器件还具备低噪声特性和快速响应能力，能够在瞬态条件下保持输出电压的稳定性。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-323 (T2)
标称齐纳电压：6.2 V
齐纳电压容差：±2%
额定功耗：200 mW
工作温度范围：-55 °C ~ +150 °C
存储温度范围：-55 °C ~ +150 °C
最大齐纳电流：30 mA
动态阻抗（@ 5mA）：≤ 10 Ω
温度系数：±0.05 mV/°C（典型值）
反向漏电流（@ 1V）：< 1 μA
EDZVT2R6.2B齐纳二极管的核心优势在于其在6.2V电压点上实现了极佳的温度稳定性。这一特性源于硅PN结在该电压附近的正负温度系数相互抵消的物理现象。当齐纳击穿机制与雪崩击穿机制在约5.6V至6.8V之间共同作用时，器件的整体电压随温度的变化趋于最小化。对于EDZVT2R6.2B而言，其温度系数典型值仅为±0.05mV/°C，这意味着在-40°C到+125°C的工作范围内，电压漂移极小，非常适合用作精密基准源。这种高稳定性使其能够替代更昂贵的带隙基准器件，在成本敏感但性能要求较高的应用中提供优异性价比。
该器件采用先进的芯片制造工艺和严格的筛选流程，确保每只二极管都具有高度一致的电气特性。±2%的初始电压容差保证了批量生产中的一致性，减少了后续校准的需求。低动态阻抗（在5mA测试电流下不超过10Ω）意味着即使负载电流发生微小变化，输出电压也能保持稳定，提高了电源抑制比（PSRR）。这对于模拟前端、ADC/DAC偏置电路或传感器激励源至关重要。
SOD-323小型封装不仅节省PCB空间，而且热性能良好，配合适当的走线设计可有效散热。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101认证，表明其能承受高温、湿度和机械应力等严酷环境条件，适用于汽车电子中的ECU、车身控制模块或电池管理系统。此外，其低反向漏电流（低于1μA）在待机或低功耗模式下有助于降低系统静态电流，延长电池寿命。整体来看，EDZVT2R6.2B是一款集高精度、高稳定性和高可靠性于一体的通用型稳压二极管解决方案。
EDZVT2R6.2B被广泛用于各类需要稳定参考电压的电子系统中。在电源电路中，它常作为低压线性稳压器的反馈网络基准，或用于过压保护电路中的电压检测节点。在模拟信号链中，该器件可用于为运算放大器、比较器或数据转换器提供偏置电压，确保信号处理的准确性。在工业控制系统中，它可以用于PLC输入模块的电平钳位，防止感应电压损坏敏感逻辑电路。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该齐纳二极管可用于摄像头模组、音频线路或传感器接口的电压箝位与稳压。此外，在汽车电子领域，EDZVT2R6.2B可用于车载信息娱乐系统、车内照明控制单元或车载充电器中的辅助电源稳压。其AEC-Q101认证也使其适用于发动机舱外围设备，如车窗升降控制、门锁驱动等模块的电压调节。由于其出色的温度稳定性，它还常被用于环境监测设备、医疗仪器和测试测量装置中作为内部参考源。
MMSZ5233BT1G
BZT52C6V2
SZMM3Z6V2
