时间：2025/6/16 22:17:20
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SI2356DS是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TrenchFET? Gen III技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，专为高效能功率转换应用而设计。其封装形式为PowerPAK? 1212-8，具备卓越的热性能和紧凑的尺寸，适合高密度电路布局。
该型号广泛应用于DC/DC转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备等场景中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：24nC
反向恢复时间：-
功耗：-
工作温度范围：-55℃ to 150℃
SI2356DS采用了先进的TrenchFET?技术，提供超低的导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高效率。此外，它还具有快速开关速度和低栅极电荷，可减少开关损耗。
其PowerPAK? 1212-8封装不仅节省空间，还提供了优异的散热性能，使其非常适合要求高效率和高功率密度的应用场合。
同时，该器件具备较高的雪崩能力和鲁棒性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。这些特点使得SI2356DS成为众多功率管理应用的理想选择。
SI2356DS适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. DC/DC转换器中的主开关或同步整流开关
2. 笔记本电脑和移动设备的负载开关
3. 电机驱动电路中的功率级开关
4. 工业自动化系统中的电源管理模块
5. 电池管理系统中的保护开关
6. 消费类电子产品中的高效功率转换方案
SI2349DS, SI2350DS, IRF7832TRPBF
