型号：EDZVT2R15B
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　齐纳电压（Vz）：2.15V @ Iz = 5mA
　　电压容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-523 (SC-79)
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大峰值脉冲功率：300mW
　　动态阻抗（Zzt）：≤30Ω @ Iz = 5mA
　　温度系数：+5.0 mV/°C（典型值）
　　反向漏电流（Ir）：≤1μA @ VR = 1V

EDZVT2R15B具备出色的电压稳定性和温度特性，是精密低电压参考应用的理想选择。其核心优势之一在于采用了先进的平面扩散工艺技术，使得齐纳击穿机制更加均匀可控，从而显著降低了噪声水平并提高了长期可靠性。该器件在额定测试电流5mA下表现出色，标称齐纳电压为2.15V，并且通过严格的筛选和测试保证了±2%以内的电压偏差，这在同类产品中属于较高精度等级。这种高精度特性使其非常适合用作模数转换器（ADC）或数模转换器（DAC）的基准电压源，尤其是在电池供电系统中对功耗和空间有严格要求的情况下。
　　另一个关键特性是其优异的动态阻抗表现，典型值不超过30Ω，这意味着即使负载电流发生小幅波动，输出电压也能保持高度稳定，避免因电压波动导致系统误动作。此外，该器件具有较低的温度系数，约为+5.0 mV/°C，表明其电压随温度变化的趋势相对平稳，有利于提升整个系统的热稳定性。尽管该值为正值，但在实际应用中可通过外部补偿电路进一步优化温漂性能。
　　从封装角度来看，SOD-523是一种极为紧凑的表面贴装封装形式，适合自动化贴片生产流程，有助于提高PCB组装效率并减少整体占用面积。同时，该封装具备良好的散热性能，能够在有限的空间内有效传导热量，防止局部过热引发失效。器件的最大连续功耗为200mW，在适当的PCB布局和散热设计下可短时承受高达300mW的脉冲功率，增强了其应对瞬态事件的能力。
　　此外，EDZVT2R15B还具备极低的反向漏电流，在1V反向偏压下的漏电流不超过1μA，这一特性对于高阻抗电路或待机模式下的节能设计至关重要。它能在宽温度范围内（-55°C至+150°C）正常工作，满足工业级和汽车级应用的环境要求。总体而言，该器件结合了高精度、小尺寸、低功耗和高可靠性等优点，成为现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

EDZVT2R15B广泛应用于各类需要稳定低电压参考或过压保护的小型化电子设备中。常见用途包括作为微控制器单元（MCU）、传感器模块或通信接口电路中的电压基准源，特别是在锂电池供电的便携式设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端中发挥重要作用。其2.15V的稳定输出可用于为模拟前端电路提供偏置电压或作为比较器的阈值参考点，确保信号处理的一致性与准确性。此外，在电源管理系统中，该齐纳二极管可用于反馈回路中的电压采样与调节，辅助实现精确的输出电压控制。
　　在I/O端口保护方面，EDZVT2R15B可与限流电阻配合使用，构成简单的箝位电路，防止静电放电（ESD）或意外过压损坏敏感的集成电路引脚。由于其响应速度快且寄生电容小，不会显著影响高速信号传输的质量，因此适用于USB接口、GPIO线路或低速数据总线的防护设计。在电平转换电路中，该器件也可用于设定逻辑高/低电平的切换阈值，帮助实现不同电压域之间的兼容通信。
　　另外，由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，EDZVT2R15B也被用于工业控制设备、医疗电子装置以及汽车电子模块中，例如车载传感器信号调理电路或ECU内部的参考电压生成部分。在这些严苛环境中，器件必须承受较大的温度波动和电磁干扰，而EDZVT2R15B凭借其坚固的设计和稳定的性能能够胜任此类任务。总之，无论是作为电压参考、稳压元件还是保护器件，EDZVT2R15B都能在多种应用场景中提供高效、可靠的解决方案。

MMSZ5225B-7-F\nPMBZ2R15,215\nBZT52C2V1-E3-07\nSZMR15