EDZVT2R10B 是一款由 Vishay 公司生产的功率二极管,属于 TrenchFET 系列。该器件采用先进的沟槽式 MOS 工艺制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及逆变器等应用中。其封装形式为 TO-252(DPAK),能够提供出色的热性能和电气性能。
这款功率二极管的主要特点是能够在高压环境下保持稳定的性能,并且具备较低的反向恢复电荷(Qrr),从而减少开关损耗并提高系统的整体效率。
型号:EDZVT2R10B
额定电压:100V
额定电流:3.9A
正向压降(Vf):@ 3.9A, Vf = 0.7V
反向漏电流(Ir):@ 100V, Ir ≤ 1μA
结电容(Cj):15pF
最大工作结温:175℃
存储温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
EDZVT2R10B 的主要特性包括以下几点:
1. 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术制造,提供更低的导通电阻和更高效的性能。
2. 额定电压为 100V,适合多种高压应用场景。
3. 正向压降低至 0.7V,能够有效减少功耗。
4. 反向恢复时间短,反向恢复电荷 Qrr 较低,有助于提升系统效率。
5. 最大工作结温可达 175℃,适应恶劣环境下的使用需求。
6. 封装形式为 TO-252 (DPAK),散热性能良好,同时占用较小的 PCB 空间。
7. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。
EDZVT2R10B 广泛应用于各种需要高效能功率转换的场景中,典型应用包括:
1. 开关电源(SMPS)中的整流和箝位电路。
2. DC-DC 转换器中的续流二极管。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
5. 各类工业控制设备中的保护电路。
6. 汽车电子中的辅助电源电路。
由于其低正向压降和快速反向恢复性能,EDZVT2R10B 在高频开关应用中表现出色,特别适合对效率和热性能有较高要求的场合。
EDZVT2R10C