类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：2.82V @ Iz = 5mA
　　容差：±2%
　　最大耗散功率（Pd）：200mW
　　工作电流范围（Iz min - Iz max）：1mA 至 50mA
　　动态阻抗（Zzt）：≤30Ω @ Iz = 5mA
　　温度系数：+4.0 mV/°C（典型值）
　　反向漏电流（Ir）：< 1μA @ Vr = 1V
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323（SC-76）
　　引脚数：2
　　极性：单齐纳

EDZVFHT2R8.2B具备优异的电压稳定性和低动态阻抗特性，使其在低电压参考应用中表现出色。其标称齐纳电压为2.82V，在测试电流为5mA时具有±2%的高精度容差，确保输出电压的高度一致性，适用于需要精密电压基准的模拟电路和传感器信号调理系统。该器件采用ROHM专有的双芯片集成结构设计，有效降低了传统低电压齐纳二极管中存在的正温度系数问题，提升了整体温度稳定性。尽管硅基齐纳二极管在低于约5V时通常呈现负温度系数，但通过优化掺杂工艺和内部结构设计，EDZVFHT2R8.2B在保持低工作电压的同时实现了相对温和的温度漂移特性，典型温度系数为+4.0mV/°C，有助于减少环境温度变化对参考电压的影响。
　　该齐纳二极管的最大功耗为200mW，适用于大多数便携式和电池供电设备。其工作电流范围宽泛，从1mA到50mA，允许设计人员在节能模式与稳定性之间进行灵活权衡。在轻载条件下仍能维持稳定的电压输出，有利于低功耗系统的设计。此外，其动态阻抗在5mA测试电流下不超过30Ω，表明其对负载变化的响应能力较强，能够有效抑制输出电压波动。反向漏电流在1V反偏电压下小于1μA，说明在未达到击穿电压前具有良好的隔离性能，避免不必要的电流泄漏。
　　SOD-323小型表面贴装封装使EDZVFHT2R8.2B非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、可穿戴设备和车载模块等空间受限的应用。该封装具有良好的热传导性能和机械强度，支持自动化贴片生产。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，意味着其经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高湿高热等，确保在恶劣环境下长期稳定运行。因此，它不仅可用于消费类电子产品，还可广泛应用于汽车电子中的电源监控、电平转换和ADC参考源等关键节点。同时，产品符合RoHS指令和无铅焊接要求，兼容现代回流焊工艺。

EDZVFHT2R8.2B主要用于需要稳定低电压参考的电子电路中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源电压监测电路，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备的电池管理单元（BMU），用于提供精确的比较器参考电压以判断充电状态或低电量报警。在工业控制系统中，该器件可用于传感器信号调理模块，作为运算放大器或模数转换器（ADC）的偏置电压源，确保采集信号的准确性。在汽车电子领域，由于其通过AEC-Q101认证，常被用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、电动门窗控制器以及发动机控制单元（ECU）中的电压检测电路，实现对12V或24V车载电源的分压采样与稳压功能。
　　此外，该齐纳二极管也可用作低压稳压器，在电流需求不大的局部电路中替代线性稳压IC，从而节省成本和PCB空间。例如，在微控制器的复位电路或看门狗定时器中，利用其稳定的击穿电压来构建简单的上电复位（POR）功能。在通信设备中，它可以用于光模块或接口电路的电平钳位与保护，防止瞬态过压损坏敏感元件。由于其低漏电流和良好温度特性，也适合用于高阻抗电路中的电压箝位，如MEMS传感器偏置网络或精密测量仪器的前端电路。总之，EDZVFHT2R8.2B凭借其小尺寸、高精度和高可靠性，成为现代电子系统中实现电压基准和稳压功能的理想选择之一。

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　　 "MZ2_282",
　　 "BZT52C2V8",
　　 "MMBZ5228B",
　　 "KZ2_282",
　　 "PZM2.8N"
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