时间:2025/12/25 11:18:23
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EDZTE6112B是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的齐纳二极管(Zener Diode),属于其EDZ系列的一部分。该器件主要用于电压调节、参考电压源以及电路保护等应用场合。EDZTE6112B采用小型表面贴装封装(SOD-523),适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。该齐纳二极管具有稳定的击穿电压和较低的动态阻抗,能够在宽温度范围内保持良好的电压稳定性。其额定齐纳电压为12V,在典型工作条件下可提供精确且可靠的电压钳位功能。由于采用了先进的制造工艺,EDZTE6112B具备良好的长期稳定性和可靠性,适用于消费类电子、工业控制、通信设备及便携式电子产品中的电源管理与信号调理电路。此外,该器件符合RoHS环保要求,并通过了AEC-Q101车规级认证,表明其可在汽车电子系统中安全可靠地运行。
类型:齐纳二极管
封装/外壳:SOD-523
齐纳电压(Vz):12V @ 5mA
容差:±5%
最大耗散功率:200mW
测试电流(Iz):5mA
最大反向漏电流(Ir):1μA @ 9.6V
动态阻抗(Zzt):90Ω @ 5mA
温度系数:+8mV/°C(典型值)
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
引脚数:2
EDZTE6112B齐纳二极管具备优异的电压稳定性能,其标称齐纳电压为12V,在5mA的测试电流下具有±5%的电压容差,确保在各种工作条件下都能提供精确的稳压效果。该器件的动态阻抗低至90Ω,意味着在负载变化时输出电压波动较小,提升了系统的稳定性。其温度系数为+8mV/°C,表现出良好的热稳定性,适合在环境温度变化较大的应用场景中使用。该齐纳二极管的最大功耗为200mW,结合SOD-523小型封装,能够有效平衡散热需求与空间限制之间的矛盾。得益于ROHM先进的芯片制造技术,EDZTE6112B在长时间运行中展现出卓越的长期电压稳定性,减少了因老化导致的性能漂移问题。该器件还具备较低的反向漏电流,在未达到击穿电压前仅有约1μA的漏电,有助于降低待机功耗并提高能效。SOD-523封装不仅体积小巧,便于自动化贴片生产,而且具有良好的焊接可靠性和机械强度。此外,EDZTE6112B通过了AEC-Q101车规级认证,证明其在高温、高湿、振动等恶劣环境下仍能保持稳定工作,适用于汽车电子中的传感器供电、MCU参考电压或ESD保护电路。整体而言,这款齐纳二极管集高精度、小尺寸、高可靠性于一体,是现代电子设计中理想的电压基准和保护元件选择。
值得一提的是,该器件在瞬态响应方面也表现良好,能够快速响应输入电压的突变,防止下游电路受到过压冲击。其PN结结构经过优化设计,能够在反向击穿状态下持续稳定工作而不发生热失控,提高了系统安全性。同时,由于其符合RoHS指令且不含铅,满足当前环保法规要求,广泛应用于绿色电子产品设计中。
EDZTE6112B齐纳二极管广泛应用于需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。常见用途包括作为低压模拟电路中的电压基准源,特别是在ADC或DAC转换器中提供稳定的参考点;也可用于电源电路中实现简单的稳压功能,尤其适用于低功耗嵌入式系统或电池供电设备。在工业控制系统中,该器件可用于传感器信号调理电路,防止信号线上的电压波动影响测量精度。此外,它还可作为ESD保护或瞬态电压抑制的辅助元件,与其他保护器件配合使用以增强系统鲁棒性。在汽车电子领域,EDZTE6112B常被用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、ECU供电监控等场景,因其具备AEC-Q101认证而特别适合严苛的车载环境。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中,该齐纳二极管可用于接口电平转换电路或USB端口的电压钳位保护。由于其小型化封装和高可靠性,也适用于可穿戴设备和物联网终端等对空间和寿命要求较高的应用场合。此外,在通信模块、无线传感节点和电源适配器中,EDZTE6112B可用于提供稳定的偏置电压或实现反馈回路的电压采样功能。总之,凭借其高精度、小尺寸和车规级品质,EDZTE6112B在多种电子系统中发挥着关键作用。
MMSZ5241BT1G
DFZ12ATF
BZT52C12-GS08
HZ12C