类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：270nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-247AD
　　功耗（Pd）：300W
　　漏源击穿电压（BVDSS）：200V

EDR201A0500Z具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其Rds(on)最大值仅为5mΩ，确保在大电流工作状态下仍能保持较低的温升。
　　其次，EDR201A0500Z具有优异的电流承载能力，最大漏极电流可达160A，适用于高功率密度设计，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。同时，其高耐压特性（200V）使其适用于多种高压应用场景。
　　此外，该器件的封装形式为TO-247AD，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高热稳定性的工业和汽车电子系统。TO-247AD封装也便于安装散热片，进一步提升散热效率。
　　EDR201A0500Z的工作温度范围为-55℃至+175℃，展现出良好的温度适应能力，适用于极端环境下的运行。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　最后，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提高了在异常工况下的可靠性，延长了使用寿命。

EDR201A0500Z广泛应用于多种高功率电子系统中。在工业电源系统中，该MOSFET常用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块和高效率电源适配器中，以提升电源转换效率并减少发热。在电池管理系统中，EDR201A0500Z适用于高功率电池组的充放电管理电路，特别是在电动车（EV）、混合动力车（HEV）和储能系统（ESS）中表现优异。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于电机驱动器和电动工具中，作为高效率的功率开关，驱动大功率直流或无刷电机。在光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中，EDR201A0500Z用于高频开关电路，提升系统的整体能效和稳定性。
　　由于其优异的电气特性和高可靠性，EDR201A0500Z也适用于车载电子系统，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和车载DC-DC转换器。在这些应用中，该器件能够在高温和高振动环境下稳定工作，满足汽车电子对可靠性和耐久性的严格要求。
　　总的来说，EDR201A0500Z凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热管理和高可靠性，成为多种高功率应用中的理想选择。

TK200E08K,TMWS100N2K,TMDS100N2K