时间：2025/10/22 10:37:41
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EDFP164A3PB-JD-F-D是一款由Diodes Incorporated生产的电子元器件，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的功率MOSFET。该器件采用先进的沟道技术制造，旨在提供高效的开关性能和低导通电阻，适用于多种电源管理和功率转换应用。作为N沟道增强型MOSFET，EDFP164A3PB-JD-F-D在栅极施加正电压时导通，允许电流从漏极流向源极。其封装形式为PowerDI5060-8，这是一种表面贴装型封装，具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。该器件广泛应用于DC-DC转换器、电源管理单元、电机驱动电路以及负载开关等场景中。由于其优化的热设计和电气特性，EDFP164A3PB-JD-F-D能够在高温环境下稳定工作，满足工业级和消费类电子产品对可靠性和效率的需求。此外，该MOSFET具备低输入电容和快速开关能力，有助于减少开关损耗，提升系统整体能效。制造商提供了详细的数据手册和技术支持文档，便于工程师进行电路设计与参数匹配。
型号：EDFP164A3PB-JD-F-D
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：MOSFET
沟道类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：60V
最大连续漏极电流（ID）：120A
最大脉冲漏极电流（IDM）：360A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值2.3mΩ（@ VGS = 10V, ID = 60A）
阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1V（@ VGS = VDS, ID = 250μA）
输入电容（Ciss）：典型值10900pF（@ VDS = 30V, VGS = 0V）
输出电容（Coss）：典型值1900pF（@ VDS = 30V, VGS = 0V）
反向恢复时间（trr）：典型值35ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerDI5060-8
安装方式：表面贴装（SMD）
EDFP164A3PB-JD-F-D采用高性能硅基工艺制造，具备极低的导通电阻RDS(on)，这使其在大电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。其典型的RDS(on)仅为2.3mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适用于高功率密度设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为85nC（@ VGS = 10V），这意味着驱动电路所需的能量较少，从而降低了驱动损耗并提升了开关速度。
该MOSFET具有优良的热性能，得益于PowerDI5060-8封装的设计优势，能够在没有额外散热片的情况下有效散发热量。这种封装还具备低热阻特性，结到外壳的热阻（RθJC）仅为0.35°C/W，确保在高负载条件下仍能维持稳定的温度表现。此外，器件的雪崩能量承受能力较强，符合工业标准测试要求，增强了在异常工况下的可靠性。
EDFP164A3PB-JD-F-D支持高频开关操作，适用于现代开关电源拓扑如同步整流、半桥和全桥变换器。其快速的开关响应时间和低反向恢复电荷（Qrr）减少了体二极管的反向恢复损耗，尤其在硬开关电路中表现出色。同时，该器件对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，栅极结构经过优化以提高耐用性。
该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境条件下保持稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和通信电源等领域。所有参数均在严格的质量控制流程下测试验证，符合AEC-Q101等可靠性标准，确保长期使用的稳定性与一致性。
EDFP164A3PB-JD-F-D广泛用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括服务器电源、笔记本电脑适配器、电动工具电源模块以及电信设备中的DC-DC转换器。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为同步整流电路的理想选择，特别是在非隔离式降压（Buck）转换器中，可有效减少功率损耗并提升转换效率。
在电池管理系统（BMS）和电动车辆（EV）相关设备中，该器件可用于主开关或预充电路，承担大电流切换任务。其高耐压特性和优异的热稳定性确保在复杂电磁环境和高温条件下依然可靠运行。此外，它也被应用于工业电机驱动器中，作为H桥电路的一部分，控制直流电机或步进电机的方向与转速。
在电源管理领域，EDFP164A3PB-JD-F-D常被用作负载开关，用于控制外设电源的通断，防止浪涌电流冲击系统。其快速开启和关闭能力有助于实现精确的电源时序控制。在UPS（不间断电源）和逆变器系统中，该MOSFET可用于功率级开关，配合控制器实现高效的能量转换。
由于其表面贴装封装形式，该器件适合自动化SMT生产线，有利于大规模生产并降低成本。同时，其小型化设计有助于缩小PCB面积，满足便携式设备对空间紧凑的要求。在太阳能逆变器、LED驱动电源和家用电器控制板中也有广泛应用前景。
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