时间：2025/8/2 7:21:56
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DMN2050LFDB-7 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于各种便携式设备和电源管理系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（Id）：5.7A
漏极-源极电压（Vds）：20V
栅极-源极电压（Vgs）：±8V
导通电阻（Rds(on)）：19mΩ（典型值）
功率耗散：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN1006（双扁平无引脚封装）
DMN2050LFDB-7 MOSFET 采用先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
该器件的封装设计优化了热性能，提高了散热效率，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。DMN2050LFDB-7 还具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
该 MOSFET 符合 RoHS 环保标准，无卤素，适用于绿色电子产品的设计要求。其小尺寸封装特别适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
DMN2050LFDB-7 MOSFET 主要用于电源管理系统、电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。其高效率和小尺寸封装使其成为便携式电子产品中理想的开关元件。此外，该器件还可用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品的电源管理模块。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDN304P
