工作频率范围：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　耦合度：20 dB ± 0.5 dB
　　方向性：≥ 20 dB
　　插入损耗：≤ 0.2 dB
　　VSWR（输入/输出端口）：≤ 1.2:1
　　额定功率：2 W（连续波）
　　阻抗：50 Ω
　　封装类型：3225（3.2 mm x 2.5 mm）表贴封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C

EDFA232A1MA-GD-F定向耦合器具备卓越的高频性能与结构稳定性，其核心优势在于采用精密薄膜技术实现的高度一致性与低寄生效应。该器件在2.3 GHz至2.7 GHz频段内提供稳定且精确的20 dB耦合度，允许主信号路径中的极小能量被提取用于监控或反馈控制，同时对主信号通路造成的影响极小。其高方向性（≥20 dB）确保了前向波与反射波之间的有效隔离，这对于驻波比测量、负载状态判断及自动增益控制至关重要。在实际应用中，这种高方向性有助于提升系统的动态范围和测量精度，尤其是在多载波或宽带信号环境下表现尤为突出。
　　该耦合器的插入损耗低于0.2 dB，意味着主信号路径的能量损失极小，有利于维持射频链路的整体效率。同时，输入和输出端口的VSWR不超过1.2:1，表明其具有优异的阻抗匹配能力，可减少信号反射并降低系统噪声系数。器件采用50 Ω标准阻抗设计，兼容大多数射频系统接口，简化了电路集成过程。其3225小型化表贴封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率与产品一致性。
　　热稳定性方面，EDFA232A1MA-GD-F可在-40°C至+85°C的工作温度范围内保持性能稳定，适用于各种严苛环境下的长期运行。额定功率达2W连续波，足以应对大多数中等功率射频应用场景。此外，该器件通过无铅焊接工艺制造，符合RoHS指令要求，满足现代电子产品对环保与可靠性的双重标准。整体而言，这款定向耦合器是高性能射频系统中实现精确信号采样与功率管理的理想选择。

EDFA232A1MA-GD-F广泛应用于需要高精度信号监测与功率控制的射频系统中。在无线通信基础设施领域，它常用于4G LTE和5G NR基站的射频前端模块，作为功率放大器输出功率采样与回波损耗检测的关键元件，支持自动电平控制（ALC）和故障保护机制。在测试与测量设备中，该耦合器可用于矢量网络分析仪、频谱仪或功率计的内部信号分流单元，提供稳定的取样信号以保证测量准确性。此外，在雷达与电子战系统中，其高方向性和宽频带特性使其适用于发射/接收通道的状态监控与天线匹配检测。
　　在毫米波通信和相控阵天线系统中，EDFA232A1MA-GD-F可用于构建分布式功率监测网络，实时采集各通道的发射功率与反射功率信息，从而实现波束成形算法的优化与系统校准。其小型化封装也使其适用于紧凑型射频收发模块（如MMIC集成模块）中的嵌入式监测功能。在工业物联网（IIoT）和专用无线网络（如专网通信、公共安全通信）中，该器件可用于远程终端单元（RTU）或固定无线接入点（FWA）设备中，保障射频链路的稳定运行。此外，科研实验室在进行高频电路原型验证时也常选用此类高性能耦合器进行信号完整性评估与系统调试。

EDFA232A1MA-HD-F
　　EDFA232A1MA-GD