时间：2025/7/23 13:23:38
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EDD5116AFTA-5B-E 是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速SRAM系列产品。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具备高速存取、低功耗和高可靠性等特点，适用于需要高速数据存取的应用场景。EDD5116AFTA-5B-E 是一款异步SRAM，容量为16K x 8位（128Kbit），采用TSOP封装，适合用于通信设备、工业控制系统、网络设备以及嵌入式系统等高性能应用。
容量：128Kbit（16K x 8）
电压范围：2.3V - 3.6V
最大访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行异步接口
封装尺寸：8mm x 14mm
读取电流（最大）：200mA
待机电流（最大）：10mA
EDD5116AFTA-5B-E SRAM芯片具备多项先进的性能特性。其高速存取时间（最大5.4ns）使得该芯片能够满足对实时性和响应速度要求较高的系统设计需求。芯片采用CMOS工艺制造，具备较低的功耗特性，在高速运行的同时也能保持良好的能效表现。
该SRAM芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了在不同系统中的兼容性和灵活性。其异步接口设计简化了与微控制器或处理器的连接，减少了系统设计的复杂度。
此外，该芯片具有较高的抗干扰能力，并在宽温范围（-40°C至+85°C）下运行稳定，适用于工业和汽车级应用环境。TSOP封装形式不仅有助于减少PCB空间占用，还能提升封装的可靠性和散热性能。
EDD5116AFTA-5B-E SRAM芯片广泛应用于对数据存取速度要求较高的电子系统中。常见的应用包括高速缓存存储器、工业控制设备、通信基础设施（如路由器、交换机）、嵌入式系统、测试与测量设备以及汽车电子控制系统等。由于其高速存取能力和良好的温度适应性，该芯片特别适用于需要实时数据处理和存储的场合。
CY7C1041CV33-55BZC, IDT71V416SA55B, IS61LV1024-55B
