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EDD1216AATA-5B-E 发布时间 时间:2025/7/23 10:28:23 查看 阅读:9

EDD1216AATA-5B-E 是一款由 Everspin Technologies 生产的 MRAM(磁性随机存取存储器)芯片,具有非易失性存储特性。该芯片适用于需要高速访问和数据持久性的应用场合,如工业控制、汽车电子、网络设备和嵌入式系统等。这款 MRAM 采用先进的 Toggle 模式接口,提供类似于传统 SRAM 的操作方式,同时具备非易失性和无限次写入能力。

参数

容量:16Mbit
  组织方式:1M x 16
  接口类型:Toggle Mode Parallel
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

EDD1216AATA-5B-E 的主要特性之一是其高速访问时间,最大为 55ns,适用于需要快速数据存取的应用。该芯片采用并行 Toggle 模式接口,兼容传统 SRAM 控制逻辑,简化了系统集成和替换过程。
  作为非易失性存储器,EDD1216AATA-5B-E 在断电后仍能保留数据,无需备用电源。其基于 STT-MRAM(自旋转移矩 MRAM)技术,提供几乎无限的写入耐久性,适用于频繁写入操作的场景。
  该器件的封装形式为 TSOP,适合标准 PCB 布局和装配流程。其宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于工业和汽车环境。
  此外,EDD1216AATA-5B-E 无需电池供电即可实现数据持久性,降低了维护成本和复杂性。它还具有低功耗待机模式,适用于对能耗敏感的设计。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化设备,如 PLC 和 HMI,用于存储关键数据和程序。在汽车电子领域,EDD1216AATA-5B-E 可用于车载控制系统、ADAS 模块和数据记录仪,提供高可靠性和持久存储能力。
  在网络设备中,该 MRAM 可用于缓存配置信息和运行日志,确保断电后仍能保留重要数据。嵌入式系统开发人员也常使用该芯片来替代传统 NOR Flash 或 SRAM,以提升性能和可靠性。
  此外,EDD1216AATA-5B-E 适用于智能电表、医疗设备和测试仪器,满足高耐久性和高速访问需求。

替代型号

MR16A016A

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