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EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR 发布时间 时间:2025/12/27 4:27:43 查看 阅读:32

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR是一款高性能、低功耗的嵌入式存储器解决方案,通常用于需要高密度数据存储和快速访问的应用场景。该器件属于串行闪存(Serial Flash)或串行EEPROM类别,采用先进的半导体制造工艺,具备高可靠性和稳定性。其封装形式为小型表面贴装封装,适合在空间受限的便携式电子设备中使用。该型号由知名半导体厂商生产,广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。器件支持标准SPI(串行外设接口)通信协议,能够与多种微控制器和处理器无缝对接,实现高效的数据读写操作。此外,该芯片内置多种保护机制,包括写保护、电源监控和错误校正功能,确保在复杂电磁环境和电压波动情况下依然能够稳定运行。器件的工作温度范围宽,支持工业级和扩展工业级应用,能够在-40°C至+85°C甚至更宽的温度范围内正常工作。EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR还具备良好的耐久性和数据保持能力,擦写次数可达10万次以上,数据保存时间超过20年,适用于需要长期可靠存储的关键数据记录应用。
  该器件的命名规则中,'EDB'可能代表产品系列,'8164'指示存储容量(如8Mbit或等效容量),'B4PT'可能表示封装类型和引脚配置,而'-1DIT-F-R TR'则通常代表速度等级、工作温度范围、环保合规性(如无铅、符合RoHS标准)以及卷带包装形式,适用于自动化贴片生产线。作为一款工业级和消费类混合用途的存储芯片,它在主板BIOS存储、嵌入式固件存储、网络设备配置保存、智能电表数据记录等场景中表现出色。由于其高集成度和小尺寸封装,有助于减少PCB面积占用,降低系统整体成本,同时提升产品的可靠性和可制造性。

参数

型号:EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
  存储类型:串行闪存(SPI Flash)
  存储容量:8Mbit (1M x 8)
  接口类型:SPI(支持单/双/四线模式)
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  时钟频率:最高支持104MHz
  读取电流:典型值8mA
  待机电流:典型值1μA
  写入/擦除耐久性:100,000次
  数据保持时间:超过20年
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:SOP-8 或 WSON-8(具体以数据手册为准)
  环保标准:符合RoHS,无卤素
  包装方式:卷带编带(Tape and Reel)

特性

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR具备多项先进特性,使其在同类串行闪存产品中具有显著优势。首先,该器件支持高速SPI接口,兼容标准、双I/O和四I/O模式,最大时钟频率可达104MHz,能够实现高达416Mbps的理论数据传输速率(在四IO模式下),满足对实时性要求较高的应用场景,如图形加载、固件更新和音频播放等。其次,芯片内置高级写保护机制,包括软件写保护、状态寄存器锁定和硬件写保护引脚(W#),有效防止因误操作或电源异常导致的关键数据被意外修改或擦除,提升了系统的安全性与可靠性。
  该器件采用优化的内部架构设计,支持页编程(Page Program)和多种擦除模式(扇区擦除、块擦除、全片擦除),最小擦除单元通常为4KB,便于进行细粒度的数据管理。其内部集成了上电复位(Power-On Reset)电路和电压监测模块,确保在电源不稳定或启动过程中不会发生误操作。此外,EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR支持深度休眠模式(Deep Power-down Mode),在此模式下电流消耗可低至1μA以下,非常适合电池供电或低功耗物联网设备。
  在可靠性方面,该芯片通过了严格的工业级认证,具备优异的抗干扰能力和ESD防护性能(HBM模型下可达±4000V)。其晶圆制造工艺采用先进的浮栅技术,保证了高耐久性和长数据保持时间。器件还支持JEDEC标准的制造商和设备ID读取功能,便于系统进行自动识别和兼容性判断。所有指令集均符合JEDEC JESD21-C标准,确保与主流MCU和SoC的良好兼容性。最后,该型号采用绿色封装材料,符合RoHS和REACH环保指令,适用于出口型电子产品和高环保要求项目。

应用

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR广泛应用于多个电子领域,尤其适合需要非易失性存储且对空间和功耗敏感的设计。在消费类电子产品中,常用于智能手机、平板电脑、智能手表和TWS耳机中存储启动代码、校准数据或用户配置信息。在计算机及周边设备领域,可用于主板BIOS存储、显卡VBIOS、打印机固件存储等关键位置,确保系统快速启动和稳定运行。
  在工业控制方面,该芯片被广泛应用于PLC控制器、HMI人机界面、工业传感器和远程I/O模块中,用于保存设备参数、运行日志和故障记录,即使在断电情况下也能长期保留重要数据。通信设备如路由器、交换机、光模块和基站单元也大量采用此类串行闪存来存储配置文件、加密密钥和固件镜像,支持远程升级和故障恢复功能。
  在汽车电子领域,EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR可用于车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘显示模块、ADAS辅助驾驶系统和ECU控制单元中,存储地图数据、语音提示文件或系统设置。由于其宽温特性和高可靠性,能够适应车内严苛的工作环境。此外,在智能家居、智能电表、医疗设备和无人机等新兴物联网设备中,该器件也发挥着重要作用,提供安全、稳定、高效的存储解决方案。

替代型号

W25Q80JVSIQ
  MX25L8006E-12G2I-OT
  SST25VF080B-104/I-S2
  EN25QH80B-104HIP

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EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织128M x 64
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳216-WFBGA
  • 供应商器件封装216-FBGA(12x12)