类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5mΩ（典型值）
　　最大功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）、TO-220等

C3556具有多个显著的电气和热性能优势，使其适用于多种高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on) ≤ 3.5mΩ）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。这对于电源转换器和电机驱动等高电流应用场景尤为重要。
　　其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力（最大连续漏极电流可达100A），能够在高负载条件下稳定运行，同时保持较低的温升。其耐压能力也较强，最大漏源电压为60V，适用于中高压电源系统。
　　此外，C3556采用优化的封装设计，如TO-252或TO-220，确保了良好的散热性能，提高了器件在高功率密度环境下的可靠性。这种封装方式也有利于简化PCB布局和焊接工艺。
　　在开关性能方面，C3556具有较快的开关速度，适用于高频操作，从而减小外围电路的体积和重量，提高系统的响应速度和稳定性。栅极电荷（Qg）较低，也有助于降低驱动损耗。
　　最后，C3556的工作温度范围宽广（-55℃至+175℃），可在极端环境条件下保持稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等对可靠性要求较高的应用领域。

C3556广泛应用于各类功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它常用作主开关器件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，C3556可作为同步整流器或高频开关，提升转换效率并减小电路体积。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动和H桥电路，控制直流电机或步进电机的运行方向和速度，适用于机器人、自动化设备和电动工具等领域。在电池管理系统（BMS）中，C3556可用于实现电池充放电控制和负载开关功能，提高系统的安全性和稳定性。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，C3556也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、LED车灯驱动等。同时，在工业控制和自动化设备中，C3556可用于驱动继电器、电磁阀、加热元件等高功率负载，实现精确的功率控制。

SiR144DP, FDS6680, IRFZ44N, STP100N6F6