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PMBT3946YPN,115 发布时间 时间:2025/9/14 20:41:53 查看 阅读:16

PMBT3946YPN,115 是一款由NXP(恩智浦)半导体公司生产的双NPN晶体管,采用小型SOT23-6封装形式。该器件适用于需要高频开关和信号处理的电子电路,如逻辑接口、数字开关、驱动器电路和电压电平转换等应用场景。这款晶体管具有高频率响应、低饱和电压以及优良的热稳定性,是工业控制、消费电子和通信设备中的常用元件。

参数

晶体管类型:双NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  增益带宽积(fT):250MHz
  封装类型:SOT23-6
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

PMBT3946YPN,115 具备多个优良的电气特性,使其适用于各种高频和中低功率应用。首先,其高频率响应(fT为250MHz)允许它在高频放大和高速开关电路中表现优异。其次,双晶体管结构使得在单个封装中实现两个独立的NPN晶体管,节省PCB空间并简化设计。此外,其集电极-发射极击穿电压(VCEO)为100V,允许在较高的电压环境中使用,提高了适用范围。该器件的低饱和电压(VCE(sat))确保在导通状态下功耗较低,从而提高整体能效。同时,PMBT3946YPN,115采用无铅封装,符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品制造。
  该晶体管的封装形式为SOT23-6,这种小型封装不仅节省空间,还便于自动化装配,适合高密度PCB布局。SOT23封装具有良好的热稳定性,可确保在正常工作条件下稳定运行。由于其封装为表面贴装型(SMD),非常适合回流焊工艺,提高了生产效率和焊接可靠性。
  在电气性能方面,PMBT3946YPN,115 的最大集电极电流为100mA,适合中低功率的应用,如逻辑电路驱动、信号放大和电平转换。其最大功耗为300mW,在正常工作条件下不会产生过高的热量,因此不需要额外的散热措施。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

PMBT3946YPN,115 适用于多种电子电路设计场景。首先,在数字电路中,它可以作为开关晶体管,用于控制LED、继电器、小型电机或其他负载。其次,在模拟电路中,该器件可用于低噪声前置放大器或信号缓冲器,特别是在需要高频率响应的场合。此外,由于其双晶体管结构,PMBT3946YPN,115 也常用于电平转换电路,如将3.3V逻辑信号转换为5V信号,以适应不同电压标准的系统接口。
  在通信设备中,该晶体管可用于射频(RF)信号放大和调制解调电路,特别是在低功率无线模块中表现良好。在工业控制领域,它可以作为小型继电器或传感器信号调理电路的驱动元件。此外,该器件在消费电子产品中也有广泛应用,例如在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于电源管理或信号路由。
  汽车电子方面,PMBT3946YPN,115 可用于车身控制模块、仪表盘显示驱动、传感器接口电路等场合,其宽温度范围和可靠性能确保在恶劣环境中稳定运行。由于其无铅封装符合环保要求,也适合用于新能源汽车和车载信息娱乐系统。

替代型号

PMBT3904,115; PMMBT3904; BC847B; 2N3904

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PMBT3946YPN,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大350mW
  • 频率 - 转换300MHz,250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)