类型：氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　连续漏极电流（ID）：20 A
　　导通电阻（RDS(on)）：35 mΩ
　　栅极电荷（QG）：8.3 nC
　　反向恢复电荷（QRR）：0 nC
　　封装类型：BGA（芯片级封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　功率耗散（PD）：45 W

ED506S-TRR 作为一款高性能的氮化镓晶体管，具备多项显著的性能优势。首先，其采用的增强型氮化镓技术使其在高频应用中表现出色，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和极低的栅极电荷（QG），从而显著降低导通和开关损耗，提高整体效率。其次，ED506S-TRR 没有反向恢复电荷（QRR = 0 nC），这一特性使其在同步整流和桥式电路中具有显著优势，可减少由于二极管反向恢复引起的损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件的封装形式为 BGA（芯片级封装），尺寸非常紧凑，有助于节省 PCB 空间并提高功率密度。此外，BGA 封装还具有良好的热性能，有助于实现高效的热管理。ED506S-TRR 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的环境适应性和可靠性，适用于各种工业和消费类应用。
　　在电气性能方面，ED506S-TRR 的最大漏源电压为 200 V，最大连续漏极电流为 20 A，能够满足中高功率等级的电源转换需求。其较低的 RDS(on)（35 mΩ）有助于降低导通损耗，提高整体效率。同时，该器件具备较高的热稳定性，能够承受较大的工作电流而不产生明显的温升。

ED506S-TRR 主要适用于需要高效率和高频开关性能的电源转换系统。其典型应用包括高效率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及无线充电系统等。由于其具备零反向恢复电荷特性，特别适合用于同步整流和半桥/全桥拓扑结构中的高频开关应用，以降低开关损耗并提升整体能效。
　　该器件还可用于高性能电源管理模块，如服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备以及电动汽车充电系统。在这些应用中，ED506S-TRR 能够有效提高电源转换效率，减小电源模块的体积，并提升系统的整体性能和可靠性。此外，由于其紧凑的封装形式，ED506S-TRR 也非常适合用于空间受限的便携式电子产品中，例如高功率密度的适配器和移动设备充电器。

EPC506S、GaN Systems GS-065-150-1-AC、Transphorm TP65H050WSQA