时间：2025/6/16 20:15:14
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DMN1029UFDB 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 UFQFN25 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合应用于各种功率转换和负载开关场景。它适用于消费电子、通信设备以及工业应用领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7.6A
导通电阻（典型值）：10mΩ
栅极电荷：14nC
开关时间：t_d(on)=15ns, t_d(off)=18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN1029UFDB 具有非常低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高效率。
其快速开关性能使其非常适合高频开关应用。
由于采用了 UFQFN25 封装，该器件体积小且散热性能优异，非常适合空间受限的设计。
此外，该 MOSFET 还具备出色的热稳定性和电气可靠性，确保在严苛环境下的长期运行。
DMN1029UFDB 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及其他需要高效功率切换的场合。
在消费类电子产品中，例如智能手机充电器、平板电脑适配器等，该器件能够提供高效率和紧凑设计。
同时，在通信设备如基站电源、网络路由器电源中也有广泛应用。
此外，工业自动化设备中的小型化功率控制单元也常使用此类 MOSFET。
DMN1028UFDB, DMN1027UFDB
