ED504T 时间：2025/8/14 20:01:38 阅读：2

ED504T是一款双路N沟道功率MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能。ED504T通常封装在DFN5x6或类似的小型封装中，适用于空间受限的设计，例如便携式电子设备、DC-DC转换器和电机驱动器等应用。这款MOSFET的两个通道可以独立使用，以提高系统的灵活性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（每个通道）
　　导通电阻(Rds(on))：15mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN5x6
　　功率耗散(Pd)：3W

特性

ED504T具有低导通电阻，使其在高电流应用中能够减少功率损耗，提高能效。其双路独立通道设计允许用户根据具体需求灵活配置电路，例如用于双向开关控制或并联操作以增加电流容量。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至10V的驱动信号，适用于多种控制器和微处理器输出。此外，ED504T具有优良的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。该MOSFET还具备快速开关特性，降低开关损耗并提高整体系统效率。在制造工艺方面，ED504T采用先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布并提高了器件的耐用性。这种设计也有助于提高短路和过载保护能力，延长器件的使用寿命。ED504T还具有良好的抗静电能力和较高的可靠性，适合在工业环境和高要求的消费电子产品中使用。

应用

ED504T广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器。在便携式设备中，它可用于提高电池效率并延长续航时间。在工业控制系统中，该MOSFET可作为高效开关，用于控制电动机、电磁阀和其他执行机构。ED504T的双通道特性使其适用于需要冗余设计或并行操作的应用，例如电源冗余或双向电机控制。此外，该器件也可用于LED驱动、充电管理电路以及各种开关电源拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback转换器。由于其优异的热性能，ED504T还可用于高温环境下的电子设备，如汽车电子、工业自动化和嵌入式系统。