时间：2025/5/8 14:50:50
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CRG40T60AN3H-N 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高电压、大电流场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适合于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用领域。
该型号中的关键参数表明其能够承受较高的漏源电压，并在较大电流下保持较低的功耗，同时支持高频操作。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：40A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：25nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
CRG40T60AN3H-N 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，最高支持600V的工作电压，适用于高压环境下的应用。
2. 大电流承载能力，额定连续漏极电流可达40A，满足高功率需求。
3. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
4. 快速开关性能，低栅极电荷使得器件能够在高频条件下高效运行。
5. 热稳定性强，通过优化散热设计确保长时间可靠工作。
6. 封装采用 TO-247 标准形式，易于安装并提供良好的散热路径。
CRG40T60AN3H-N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中用于控制功率输出。
3. 逆变器系统中实现直流到交流的高效转换。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 新能源领域如太阳能逆变器和风能发电系统的功率调节部分。
6. 汽车电子系统中要求高可靠性和高效能的场合。
CRG40T60AN3H-P, CRG40T60BN3H-N, IRFP460
