时间：2025/6/5 17:37:05
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ED162NV3V3U 是一款由东芝（Toshiba）生产的增强型 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252(DPAK) 封装，广泛用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率转换的应用场景。
ED162NV3V3U 的设计目标是提供高效率和低导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统的整体性能。它具备良好的热稳定性和电气特性，适合在多种工业和消费类电子设备中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极阈值电压：1.2V~2.2V
功耗：2.4W
工作温度范围：-55℃~150℃
ED162NV3V3U 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力，适用于高频应用。
3. 较低的栅极电荷 (Qg)，有助于提升系统效率。
4. 紧凑的 DPAK 封装形式，方便安装和散热。
5. 良好的雪崩击穿能力和热稳定性，确保在恶劣环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
7. 广泛的工作温度范围，适应各种应用场景。
ED162NV3V3U 可应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 各种类型的电机驱动电路。
3. 电池保护和负载切换。
4. 工业自动化中的功率控制模块。
5. 消费类电子产品中的高效功率管理。
6. LED 驱动和其他低功率电子设备中的开关元件。
其优异的电气特性和封装形式使其成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
TPH3104PN, FDP5802, AO3400A
