时间：2025/9/1 8:30:49
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IS61NLP25636A-200B3LI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速同步SRAM类别，通常用于需要快速数据访问的高性能系统，例如网络设备、通信设备、工业控制系统和嵌入式应用。IS61NLP25636A-200B3LI采用先进的CMOS工艺制造，提供256K x 36位的存储容量，适用于需要高带宽和低延迟的场合。
存储容量：256K x 36
访问时间：200MHz
电源电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：165引脚 BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：同步高速SRAM接口
数据总线宽度：36位
最大访问延迟：约5ns
功耗：典型值为150mA（待机模式下低至10mA）
IS61NLP25636A-200B3LI SRAM芯片具有多项先进的技术特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，该器件采用了高速同步接口，支持高达200MHz的工作频率，确保系统在高频环境下仍能保持稳定的数据传输速率。其低延迟访问时间（约5ns）使得它非常适合用于缓存、帧缓冲、数据队列等对响应时间要求严格的应用场景。
该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，具备广泛的电源兼容性，支持多种电压标准的系统设计。同时，其低功耗设计在待机模式下可显著减少功耗，有助于延长设备的续航时间，适用于便携式设备和低功耗系统。
封装方面，IS61NLP25636A-200B3LI采用165引脚BGA封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB布局。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，可在恶劣环境中稳定运行。
该SRAM芯片还具备优异的抗干扰能力和稳定性，支持多路并发操作，适用于多任务处理和高带宽需求的应用。其同步接口支持突发模式操作，可以实现连续数据读写，提高整体系统效率。
IS61NLP25636A-200B3LI广泛应用于高性能嵌入式系统、网络交换设备、通信基站、路由器、工业控制设备、测试与测量仪器以及图像处理模块。其高速、低功耗和宽电压特性，使其成为需要快速数据存取和稳定性能的理想选择。在嵌入式系统中，该芯片通常用作高速缓存或临时数据存储器，以提升系统的整体响应速度和数据处理能力。
IS61NLP25636A-200B3TI, IS61NLP25636A-200BLL
