ECVAS060305X30100NBT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用领域。这款芯片采用先进的封装工艺,具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力的特点,可显著提高系统的功率密度和能效。
该器件特别适合需要高性能、小尺寸解决方案的应用场景,其设计能够降低电磁干扰(EMI),并提供更稳定的输出性能。
型号:ECVAS060305X30100NBT
类型:GaN 功率晶体管
封装:QFN 8x8mm
额定电压:600V
额定电流:30A
导通电阻:5mΩ
栅极电荷:5nC
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
最大开关频率:3MHz
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
ECVAS060305X30100NBT 的主要特性包括:
1. 高效率:得益于 GaN 技术,该器件在高频操作下表现出极低的开关损耗和传导损耗。
2. 快速开关:具备超低的栅极电荷,支持高达 3MHz 的开关频率,非常适合高频应用场景。
3. 小型化设计:采用紧凑的 QFN 封装,减少 PCB 占用面积,同时保持良好的散热性能。
4. 高可靠性:通过严格的电气和机械测试,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
5. 低电磁干扰:内置优化电路,有效降低 EMI 效应,简化系统设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 通信电源
3. 数据中心电源模块
4. 消费类电子产品中的快速充电器
5. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器
6. 无线充电发射端及接收端解决方案
7. 光伏逆变器中的功率转换模块
ECVAS060305X30100GBT, ECVAS060305X30100NCT