时间：2025/8/2 8:32:48
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DMN3033LSD-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。这款器件采用小型 SOT26 封装，具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性，适用于便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC 转换器以及各类低电压开关电路。其设计旨在提供高效的功率控制，同时保持紧凑的外形尺寸，适合高密度 PCB 布局。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：-20V
连续漏极电流（ID）：-3.1A
导通电阻（RDS(on)）：105mΩ @ VGS = -10V；140mΩ @ VGS = -4.5V
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：SOT26
DMN3033LSD-13 具有优异的导通性能和快速开关响应，其导通电阻在 -10V 栅极电压下仅 105mΩ，在 -4.5V 下为 140mΩ，能够在低电压应用中有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体能效。
该 MOSFET 的 SOT26 小型封装形式使其非常适合用于空间受限的设计，例如智能手机、平板电脑、穿戴设备和其他便携式电子产品。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，减少因温度升高而导致的性能下降。
DMN3033LSD-13 还具有出色的耐用性和可靠性，符合 RoHS 标准，适用于无铅工艺制造，满足现代电子产品的环保要求。其封装材料和内部结构设计有助于提高抗静电能力和机械强度，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
DMN3033LSD-13 广泛应用于各类电子设备中的电源管理系统，如便携式消费电子产品中的电池供电控制、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及各类低电压功率开关应用。其低导通电阻和快速响应特性使其特别适合用于需要高效能和低功耗设计的场合，例如 USB 电源管理、LED 照明控制、电源多路复用器以及工业控制系统中的低电压开关电路。
Si3442DV-T1-GE3, BSS84LT-TP, DMN3045LSD-13
