类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：12.8mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：130W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerSSO-24

ECQB2562KF4的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大为12.8mΩ，表现出优异的导通性能。
　　此外，该MOSFET具有高电流承载能力，额定漏极电流可达60A，适用于需要高功率密度的设计。其漏极-源极电压为30V，适用于中低压功率转换系统。
　　该器件采用PowerSSO-24封装，具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。PowerSSO封装还具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的设计。
　　ECQB2562KF4符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，确保其在恶劣的汽车环境中仍能稳定运行，因此特别适用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等应用。
　　该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供更好的保护性能。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，并具备良好的开关特性，适用于高频开关应用。
　　综合来看，ECQB2562KF4是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高功率密度和高效率的电源管理系统。

ECQB2562KF4广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场景。其主要应用领域包括汽车电子系统中的DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及负载开关控制。该器件也适用于工业电源、服务器电源、UPS系统、通信设备电源模块以及高功率便携式设备中的电源管理电路。由于其具备AEC-Q101认证，特别适合用于汽车应用中的功率控制模块。

SiR3462AD-S、FDMS86180、IRF6717、RQ3ED060BJ0、ECQB2562KCT