ECN3067LV 时间：2025/9/6 19:30:59 阅读：31

ECN3067LV是一款低电压、低功耗的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于便携式电子设备和电池供电系统。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻和热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。ECN3067LV封装小巧，具备良好的散热性能，能够在低电压条件下提供较高的电流承载能力，非常适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等电路设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6.7A（在Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

ECN3067LV MOSFET采用了先进的沟槽技术，使得器件在低电压下具有优异的导通性能。其导通电阻仅为8.5mΩ，大大降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，适用于多种驱动电路设计。
　　ECN3067LV的封装设计紧凑，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热管理能力，能够在高电流条件下保持稳定的工作温度。其漏极电流能力达到6.7A，使其能够胜任中高功率应用的需求。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，它具有较低的输入电容和输出电容，有助于降低高频应用中的开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　由于其低电压特性，ECN3067LV特别适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、便携式充电器等，能够在有限的电压条件下提供高效的功率控制。

应用

ECN3067LV MOSFET广泛应用于各种低电压功率管理系统中，尤其是在便携式电子产品中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理单元（PMU）、电池保护电路等。
　　在电源管理系统中，ECN3067LV可用于高效能的降压或升压转换器，实现高效的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗，提高电池续航能力。
　　在负载开关应用中，ECN3067LV可以作为主控开关，用于控制不同电路模块的供电，实现快速的开关操作和低功耗设计。此外，它还可用于电机驱动、LED背光调节、电源分配系统等需要高效率和高可靠性的场景。
　　由于其良好的热性能和紧凑封装，ECN3067LV也适用于高密度PCB设计，如笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备等空间受限的应用。