类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大7.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：3.6W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双封装
　　安装类型：表面贴装

ECN30107SP具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其在高电流应用中表现突出。其次，该器件采用了先进的沟槽式技术，优化了导通性能和开关速度之间的平衡，从而减少了开关损耗。此外，ECN30107SP的封装设计具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，提升了整体可靠性。
　　该MOSFET支持高频率操作，适用于开关电源、同步整流和负载开关等高频应用。其栅极驱动电压范围宽，兼容标准的10V驱动电路，便于在各种控制系统中集成。ECN30107SP还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了器件在极端工况下的耐用性。最后，其封装结构采用无铅环保材料，符合RoHS标准，适用于现代绿色电子产品制造。

ECN30107SP广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **DC-DC转换器**：用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源管理模块。
　　2. **负载开关**：作为电源管理中的电子开关，用于控制高电流负载的开启与关闭。
　　3. **电机控制**：在小型电机驱动电路中作为主开关元件，实现高效调速与控制。
　　4. **电池管理系统**：用于电动工具、便携式设备和电动汽车中的电池充放电控制。
　　5. **电源管理模块**：在多相电源系统中作为同步整流器或高边开关使用，提高整体系统效率。

Si4410DY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS6680, NVTFS5C471NLWFT, AO4406A