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ECN30105 发布时间 时间:2025/9/6 13:19:30 查看 阅读:4

ECN30105是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式(Trench)技术,具备较低的导通电阻(RDS(on))和优良的开关性能,能够有效降低导通损耗并提高整体系统效率。ECN30105采用SOP(Small Outline Package)封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合高密度电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  最大连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):25mΩ(典型值,VGS=10V)
  栅极电荷(Qg):25nC
  输入电容(Ciss):1100pF
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP-8

特性

ECN30105采用了先进的沟槽型MOSFET结构设计,这种设计能够有效降低导通电阻(RDS(on)),从而减少在导通状态下的功率损耗,提高电源转换效率。该器件的典型RDS(on)为25mΩ,在VGS=10V时可支持高达10A的连续漏极电流,适用于中高功率应用。
  该MOSFET具备较高的栅极耐压能力,最大VGS可达20V,提高了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。同时,其栅极电荷(Qg)为25nC,结合较低的输入电容(Ciss为1100pF),使得器件在开关过程中能够实现快速响应,从而降低开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
  此外,ECN30105采用SOP-8封装形式,具有良好的热管理能力,能够在有限的空间内提供较高的功率密度。其工作温度范围为-55°C至150°C,适应多种环境条件,确保在工业级应用中的稳定运行。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行,提高系统的可靠性。其设计优化了短路耐受能力,适用于电机控制、负载开关等对可靠性和耐用性要求较高的应用领域。

应用

ECN30105广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等。由于其低导通电阻和优异的开关特性,该器件特别适用于需要高效能、高可靠性的电源转换场合,如通信设备、服务器电源、电动工具、无人机和智能家居设备等。
  在DC-DC转换器中,ECN30105可用于同步整流拓扑,显著降低导通损耗,提高转换效率;在电机控制应用中,它可作为H桥结构中的功率开关器件,实现电机的正反转及调速控制;在负载开关电路中,该MOSFET可有效实现电源的快速接通与断开,保护系统免受过载或短路损坏。
  此外,ECN30105也适用于便携式设备中的电池供电管理,例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等,有助于延长电池使用寿命并提高系统能效。

替代型号

[
   "TPSI8141-Q1",
   "Si4410DY",
   "AO4406A",
   "FDMS86101"
  ]

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