84C30A 时间：2025/11/12 20:28:42 阅读：14

84C30A是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的高性能、低功耗CMOS静态随机存取存储器（Static RAM，简称SRAM）。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高可靠性与稳定性，广泛应用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及嵌入式系统等领域。84C30A属于高速异步SRAM产品线，提供32K x 8位的存储容量，即总容量为262,144位，组织形式为8位数据总线和15位地址总线。该芯片支持标准的TTL电平接口，兼容多数微处理器和微控制器系统，便于系统集成。其封装形式通常为44引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）或44引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适用于表面贴装和通孔焊接工艺。84C30A工作电压为单一+5V电源，在全温度范围内保持稳定运行，适合商业级和工业级应用环境。

参数

型号：84C30A
　　制造商：Renesas Electronics
　　存储类型：异步SRAM
　　存储结构：32K x 8位（256 Kbit）
　　供电电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级） / -40°C 至 +85°C（工业级）
　　访问时间：15ns / 20ns / 25ns（根据具体子型号）
　　封装类型：44-pin PLCC, 44-pin TSOP
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　写使能信号：WE#
　　输出使能信号：OE#
　　片选信号：CE#
　　功耗模式：全静态操作，无刷新要求
　　最大读取电流：典型值 90mA（取决于频率）
　　待机电流：典型值 50μA

特性

84C30A具备多项关键特性，确保其在复杂电子系统中的高效运行。首先，其采用全静态CMOS设计，无需时钟或刷新信号即可维持数据，极大简化了系统设计并降低了功耗。在待机状态下，芯片仅消耗极低的静态电流，非常适合对功耗敏感的应用场景。其次，该SRAM支持高速异步读写操作，访问时间可低至15纳秒，能够满足高速微处理器的数据吞吐需求，显著提升系统响应速度。所有控制信号均经过优化，支持简洁的地址解码逻辑，片选（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）三信号协同工作，实现精确的读写控制。
　　此外，84C30A具有出色的抗干扰能力和数据保持稳定性，即使在电磁环境复杂的工业现场也能可靠工作。其输入输出引脚完全兼容TTL电平标准，可以直接连接到多种主流微控制器、DSP或FPGA，无需额外的电平转换电路，从而降低系统成本和设计复杂度。芯片内部结构采用高密度存储阵列设计，结合先进的制造工艺，保证了高良率和长期供货能力。所有引脚均具备静电放电（ESD）保护功能，增强了器件在运输、装配和使用过程中的鲁棒性。
　　该器件还支持全静态操作，即当系统时钟暂停或进入低功耗模式时，只要电源保持稳定，存储内容不会丢失，这一特性特别适用于需要长时间保存临时数据或缓存信息的嵌入式应用。同时，84C30A符合工业级环境标准，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，适应严苛的工作条件。其封装形式紧凑，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片生产，有助于提高量产效率。整体而言，84C30A是一款兼具高性能、高可靠性和易用性的SRAM器件，是中高端嵌入式系统和通信设备的理想选择。

应用

84C30A因其高速、稳定的性能和广泛的环境适应性，被广泛应用于多个领域。在工业自动化控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器中作为程序缓冲或实时数据暂存。在网络通信设备如路由器、交换机和基站中，该芯片用于包处理缓存、协议栈临时存储等任务，保障数据传输的流畅性。在医疗电子设备中，用于图像采集系统的帧缓冲或诊断数据的临时存储，确保关键信息不丢失。此外，在测试与测量仪器、军事电子系统以及航空航天地面设备中，84C30A也发挥着重要作用，提供可靠的本地存储支持。由于其非易失性虽需外部电源维持，但配合备用电池方案，可在断电时保留重要配置参数，因此也被用于需要快速启动和状态恢复的智能终端设备中。