时间：2025/6/4 0:10:31
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FN21N100J102ECG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件由知名制造商提供，适用于高电压和高功率应用。其设计旨在满足现代电力电子系统对效率、可靠性和小型化的需求。此MOSFET具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场景。
该型号中的部分标识含义如下：FN表示制造商系列代码，21N代表产品系列为N沟道MOSFET，100表示额定电压为100V，J102是内部工艺版本编号，ECG则表示封装类型为TO-263（D2PAK）。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：37nC
输入电容：1340pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
总功耗：10W
存储温度范围：-55℃至+150℃
1. 额定电压高达100V，适合多种高压应用场景。
2. 导通电阻低至0.18Ω（典型值），能够有效降低传导损耗。
3. 栅极电荷较小（37nC），有助于实现快速开关和减少开关损耗。
4. 工作温度范围宽广，适应极端环境条件，可靠性更高。
5. 封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能和机械强度。
6. 内置ESD保护功能，提高器件在生产及使用过程中的抗静电能力。
7. 符合RoHS标准，绿色环保，无铅焊接兼容。
FN21N100J102ECG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中用于高效能量转换。
3. 电机驱动电路中作为功率级开关。
4. 各类负载开关，如电池管理系统中的保护开关。
5. UPS（不间断电源）系统中的功率开关。
6. 光伏逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率控制元件。
由于其出色的电气特性和稳定性，这款MOSFET特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
IRFZ44N, FDN21N100, STP55NF06
