类型：N沟道增强型MOSFET
　　材料：碳化硅(SiC)
　　最大漏源电压(Vds)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：65mΩ
　　栅极电荷(Qg)：90nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247-3L

ECCT3F120KG 的核心优势在于其采用碳化硅材料制造，相比传统的硅基 MOSFET 和 IGBT，具备更低的开关损耗和更高的工作频率能力。该器件的导通电阻仅为 65mΩ，能够在高电流条件下保持较低的导通压降，从而减少功率损耗并提高整体系统效率。
　　此外，ECCT3F120KG 具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于高功率密度设计。其 TO-247-3L 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在 PCB 上安装和散热器连接。
　　该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 90nC，支持快速开关操作，有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
　　ECCT3F120KG 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于多种恶劣环境条件。

ECCT3F120KG 主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括：电动汽车充电器（EV Charger）、太阳能光伏逆变器（PV Inverter）、储能系统（Energy Storage Systems）、工业电机驱动器（如伺服驱动器和变频器）、不间断电源（UPS）以及高功率 DC-DC 转换器。
　　由于其优异的热性能和高开关频率能力，ECCT3F120KG 特别适合用于需要紧凑设计和高能效的高频功率转换电路。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器，以提高充电效率和能量利用率。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，ECCT3F120KG 可用于提升系统效率和功率密度，降低系统散热要求，从而实现更小体积和更低成本的设计目标。

Cree / Wolfspeed 的 C3M0065090J 和 C3M0065090D、Infineon 的 IMZA65R048M1H、STMicroelectronics 的 SCTW100N65G2AG、ROHM 的 SCT3040KR、ON Semiconductor 的 NVHL080N120SC1