类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值5mΩ
　　栅极电荷（QG）：典型值2.3nC
　　反向恢复电荷（QRR）：典型值0.1nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：1005（0402）
　　输入电容（Ciss）：典型值380pF
　　输出电容（Coss）：典型值120pF
　　跨导（gFS）：典型值180S

EBMS100505A301 具备多项先进特性，使其在高效率功率转换系统中表现出色。首先，其采用氮化镓材料，具备极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低导通损耗，提高整体效率。其次，该器件具备极低的栅极电荷（QG）和米勒电荷（QGD），有助于减少开关损耗，从而实现高频操作。此外，EBMS100505A301 的反向恢复电荷极低，使其在同步整流和高频变换器应用中表现出色，显著优于传统硅基MOSFET。该器件采用紧凑的1005封装形式，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热性能，确保在高功率密度应用中稳定运行。最后，EBMS100505A301 的工作温度范围宽广，适用于各种严苛环境下的应用，包括工业自动化、通信电源和消费类电子产品等。
　　在电气性能方面，该器件的跨导（gFS）高达180S，确保快速响应和优异的动态性能。其输入和输出电容均较低，有利于提高开关速度并减少寄生振荡。此外，EBMS100505A301 采用增强型结构，具备常关特性，提高了系统的安全性和可靠性。由于其优异的性能，该器件特别适合用于同步整流、高效DC-DC降压转换器、无线充电系统、LED驱动器以及高频电源模块等应用场景。

EBMS100505A301 主要应用于需要高效能、高功率密度和高频操作的电力电子系统中。典型应用包括：高效同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载点电源（PoL）、高频隔离式电源模块、无线充电发射器、高亮度LED驱动电路、工业自动化电源系统以及高效率电机驱动器。由于其低导通电阻和优异的开关性能，该器件在要求苛刻的电源转换应用中可显著提高效率并减少散热需求，从而降低系统成本并提高可靠性。

EPC2023, EPC2052, GS61004B