BRP100-DDT 时间：2025/12/27 1:36:58 阅读：14

BRP100-DDT是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和电机控制等场景。该器件采用紧凑型双直插式封装（DDT），适合对空间要求较高的工业与消费类电子设备。BRP100-DDT通过优化的晶圆制造工艺实现了低导通电阻（RDS(on)），从而降低导通损耗，提高系统效率。其主要优势在于具备高可靠性、良好的热稳定性和快速开关能力，适用于DC-DC转换器、电池供电系统以及各类电源切换应用。此外，该MOSFET在栅极耐压方面进行了加强设计，能够承受一定的电压瞬变，增强了在复杂电磁环境下的工作稳定性。由于采用了P沟道结构，其驱动电路相对简单，无需额外的电荷泵电路即可实现高端或低端开关控制，进一步简化了系统设计并降低了整体成本。

参数

型号：BRP100-DDT
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-10A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-28A
　　导通电阻RDS(on)（典型值）：15mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)（最大值）：20mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：2200pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：680pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DDT（Dual Drain Tab）
　　安装方式：通孔安装（Through-hole）

特性

BRP100-DDT的电气特性经过精心优化，以满足现代高效能电源系统的需求。其低导通电阻确保在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。该器件的P沟道结构使其在高端开关应用中尤为适用，因为可以直接通过逻辑电平信号驱动，避免使用复杂的驱动电路。其阈值电压范围适中，在-1.0V至-2.0V之间，能够在保证可靠关断的同时实现快速开启。
　　该MOSFET具备优良的开关性能，输入和输出电容较小，使得其在高频开关应用中表现出色。栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动功耗，提升了动态响应速度。同时，较短的反向恢复时间意味着体二极管具有较快的恢复能力，有助于降低开关过程中的能量损耗和电压尖峰，尤其在感性负载切换时表现更为稳定。
　　在可靠性方面，BRP100-DDT采用了坚固的封装技术，DDT封装不仅提供了良好的电气连接，还增强了散热性能。通孔安装方式提高了机械强度，适合在振动或温度变化剧烈的环境中使用。器件符合RoHS标准，并通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试等，确保长期运行的稳定性。
　　此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的防护能力，内部集成了一定程度的ESD保护结构，减少了在生产和装配过程中因静电损伤导致失效的风险。整体设计兼顾了性能、可靠性和易用性，使其成为多种中低电压功率控制应用的理想选择。

应用

BRP100-DDT常用于各类需要高效功率切换的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源管理模块，作为主电源开关或负载切换开关，实现对不同功能模块的供电控制。在工业控制系统中，它可用于继电器替代方案，驱动电磁阀、小型电机或其他执行机构，提供无触点、长寿命的开关解决方案。此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关拓扑，特别是在非隔离式降压变换器中发挥重要作用。
　　由于其良好的热特性和电流承载能力，BRP100-DDT还可用于过流保护电路或热插拔控制器中，配合电流检测电阻和控制IC实现自动断电保护。在汽车电子领域，虽然并非专为车规级设计，但在辅助电源系统或车载附件供电模块中也有一定应用潜力，前提是工作环境温度在其规格范围内。
　　在消费类电子产品如打印机、扫描仪、智能家居控制板中，该MOSFET可用于控制风扇、照明LED或传感器模块的电源通断。其简单的驱动方式和稳定的开关特性使其易于集成到现有的数字控制系统中，配合微控制器GPIO直接驱动即可完成基本的功率控制任务。