工作频率：18 - 22 GHz
　　增益：约20 dB
　　噪声系数：≤1.8 dB
　　输出P1dB（压缩点）：≥10 dBm
　　工作电压：+5 V 至 +7 V
　　静态电流：约120 mA
　　输入/输出匹配：50 Ω
　　封装类型：陶瓷表面贴装
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　隔离度（反向隔离）：≥30 dB
　　输入回波损耗：≤ -10 dB
　　输出回波损耗：≤ -10 dB

XAP-20V-1的核心优势在于其在K波段（18–22 GHz）内实现了优异的低噪声性能与高增益的平衡。该芯片采用GaAs HFET技术，这种材料体系具有较高的电子迁移率和饱和速度，使得器件在毫米波频段仍能保持良好的增益和线性度。其典型噪声系数低于1.8 dB，在20 GHz中心频率下表现出色，这对于提升接收系统的信噪比至关重要，尤其是在远距离通信或弱信号接收场景中。
　　该放大器具备良好的输入和输出阻抗匹配特性，标称为50欧姆系统设计，减少了外部匹配网络的复杂性，有助于简化电路布局并降低插入损耗。同时，其较高的反向隔离度（≥30 dB）有效防止了输出端反射信号对前级电路的影响，增强了系统的稳定性。
　　XAP-20V-1的工作电压范围为+5V至+7V，典型静态电流约为120mA，功耗适中，适合长时间连续运行的应用环境。其输出压缩点（P1dB）达到或超过10 dBm，表明该LNA不仅具有低噪声能力，还具备一定的功率处理能力，能够在存在较强干扰信号的情况下保持线性放大，避免失真。
　　此外，该器件支持宽温工作（-55°C 至 +100°C），符合军用级和航空航天级产品的可靠性要求。陶瓷封装提供了优良的热导性和电磁屏蔽性能，提升了器件在恶劣环境下的耐用性。整体设计注重电磁兼容性（EMC）和长期稳定性，使其成为高可靠性通信系统中的理想选择。

XAP-20V-1主要用于高频通信系统中的接收前端，作为第一级低噪声放大器以最大限度地提升系统灵敏度。其典型应用场景包括卫星通信地球站、星载通信终端以及深空探测设备中的K波段接收链路。在这些系统中，微弱信号经过长距离传输后到达地面或空间接收端，必须通过高性能LNA进行初步放大，以克服后续混频器和中频放大器引入的噪声影响。
　　此外，该芯片广泛应用于点对点和点对多点的微波无线回传系统，特别是在需要高数据速率和高可用性的电信基础设施中。例如，在5G回传网络或企业级无线骨干网中，XAP-20V-1可用于构建高容量、低延迟的毫米波链路。
　　在雷达系统中，尤其是气象雷达、监视雷达和相控阵雷达中，XAP-20V-1被用于增强回波信号的接收质量，提高目标检测能力和分辨率。由于其良好的相位稳定性和低噪声特性，也适用于相干雷达和合成孔径雷达（SAR）系统。
　　测试与测量仪器如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪的前端模块同样采用此类高性能LNA，以确保测量精度和动态范围。科研机构在开展毫米波频段的研究实验时，也会选用XAP-20V-1作为标准参考元件。此外，该器件还可用于电子战（EW）系统、无人机通信链路及高速数据链等领域，满足严苛的性能需求。

XAP-26V-1
　　XAP-20W-1
　　LMX2594EVM