EBLC15C是一种基于硅技术制造的高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等高电压应用场景。该器件采用N沟道增强型设计,具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力。其封装形式通常为TO-220或TO-247,便于散热和集成到各种电路中。
EBLC15C在设计时注重提高效率和可靠性,适合需要高频切换和高效能量转换的场景。
最大漏源电压:1500V
连续漏极电流:8A
栅极阈值电压:3V~6V
导通电阻:3.5Ω(典型值,在Vgs=10V条件下)
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃~+175℃
EBLC15C具备以下关键特性:
1. 高击穿电压:高达1500V,确保在高电压环境下的稳定性。
2. 快速开关速度:优化了栅极电荷参数,以减少开关损耗。
3. 热稳定性强:能够在高温环境下保持良好的性能,适合工业和汽车应用。
4. 良好的雪崩能力:即使在过载或短路情况下也能提供一定的保护功能。
5. 小型化封装:采用标准TO-220或TO-247封装,易于安装且具有良好的散热性能。
6. 可靠性高:经过严格的工艺控制和测试,保证长期使用的稳定性。
EBLC15C适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS):用于高效能量转换,支持宽输入电压范围。
2. 电机驱动:特别是在高压电机控制系统中表现优异。
3. 太阳能逆变器:利用其高电压和快速开关特性,实现高效的直流-交流转换。
4. 电动车充电设备:支持快速充电和高电压操作。
5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)中的功率模块。
6. 不间断电源(UPS)系统:提供可靠的备用电源解决方案。
EBLC15D, IRF1405Z, FCH09N150B