时间：2025/7/12 2:25:47
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GA1812A821GXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计。这款器件主要应用于高效率、高频率的开关电源和电机驱动等场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
该芯片能够在高频工作条件下提供出色的性能表现，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合各种工业和消费类电子应用。
型号：GA1812A821GXBAR31G
类型：功率 MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
脉冲漏极电流(Ip)：45A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
输入电容(Ciss)：1500pF
输出电容(Coss)：100pF
反向恢复时间(trr)：65ns
功耗(Ptot)：175W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +150℃
GA1812A821GXBAR31G 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在高电流负载下的高效运行，并减少了功率损耗。
2. 快速的开关速度优化了高频应用场景中的性能表现，降低了开关损耗。
3. 良好的热稳定性保证了长时间工作的可靠性，即使在极端温度环境下也能保持稳定的性能。
4. 高耐压能力 (650V) 使得该器件能够适应更广泛的电压范围，适用于多种复杂电路。
5. 封装形式坚固耐用，便于安装和散热，同时提高了整体系统的可靠性。
GA1812A821GXBAR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主功率开关元件。
2. 工业电机驱动和逆变器中的功率控制模块。
3. 电动车和混合动力汽车的动力系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
5. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品，如家用电器、LED 照明等。
IRFP460N,
STP12NK60Z,
FDP18N65A
