类型：氮化镓FET（增强型）
　　漏源电压（VDS）：200V
　　连续漏极电流（ID）：18A
　　导通电阻（RDS(on)）：19mΩ
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：四方扁平无引线（QFN）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

EA2823QJ-T1435 采用先进的eGaN?技术，具备优异的热性能和高频开关能力，使其在高频率功率转换中表现出色。该器件具有低导通电阻和低栅极电荷，可显著降低开关损耗并提高能效。此外，其紧凑的QFN封装有助于减小PCB面积，提高功率密度。与传统硅基MOSFET相比，EA2823QJ-T1435具有更高的效率和更小的尺寸，适用于要求高效率和高集成度的现代电源系统。该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高负载条件下长时间稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
　　在应用设计中，EA2823QJ-T1435通常与同步整流控制器或栅极驱动器配合使用，以优化开关性能并减少电磁干扰（EMI）。其快速开关能力使其适用于LLC谐振转换器、有源钳位反激式转换器以及同步整流拓扑。该器件的设计也支持软开关技术，从而进一步提高效率并减少损耗。此外，其低寄生电感封装有助于提高高频性能并降低开关噪声。

EA2823QJ-T1435 主要应用于高效率电源转换系统，如AC-DC适配器、服务器电源、电信整流器、电池充电器、DC-DC转换模块、无线充电系统以及太阳能逆变器等。此外，它也适用于高频功率放大器和电机驱动器等需要高功率密度和高效能的应用场景。

EPC2214、EPC2052、EPC2045、EPC2035、EPC2025