E52002A61C 时间：2025/6/22 8:31:32 阅读：4

E52002A61C 是一款高性能的功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提升系统的效率和可靠性。
　　该功率晶体管支持高频开关操作，并在多种工作条件下表现出优异的热稳定性和电气性能。其封装设计便于散热管理，适合需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子设备。

参数

型号：E52002A61C
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：45A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
　　总闸极电荷（Qg）：95nC
　　切换频率：最高支持500kHz
　　封装形式：TO-247

特性

E52002A61C 以其低导通电阻著称，可显著降低传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，其具备出色的热性能，能够在高电流密度下保持较低的结温升，延长了器件的使用寿命。
　　该晶体管还拥有快速的开关速度，适用于高频开关电路。其坚固的设计结构使其在恶劣环境下的运行更加稳定，同时支持过温保护和短路保护功能，进一步提升了系统的安全性。
　　此外，该器件的封装设计优化了散热路径，简化了散热器的安装与维护过程。这使得 E52002A61C 成为众多高功率应用的理想选择。

应用

E52002A61C 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
　　3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）
　　4. 工业自动化控制中的功率转换模块
　　5. 电动车控制器
　　由于其高效的能量转换能力和稳定的性能表现，该器件特别适合要求紧凑设计和高可靠性的应用场景。