时间：2025/7/23 22:26:24
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E47N50是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压、高电流的应用场景，例如电源转换、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动以及各类功率电子设备中。该器件基于先进的硅技术制造，能够在较高的电压下提供良好的导通性能和开关特性。E47N50的封装形式通常是TO-247或类似的功率封装，具备良好的散热性能，以满足高功率应用场景的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：47A
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.155Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
E47N50具备多项优异的电气和热性能特性，首先其漏源电压（VDS）高达500V，使其适用于高电压操作环境。其次，连续漏极电流（ID）为47A，支持较大的负载电流能力，适用于高功率需求的电路。此外，导通电阻（RDS(on)）典型值为0.155Ω，较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅源电压容限为±30V，确保了栅极驱动的稳定性和可靠性，同时具备较强的抗过压能力。E47N50采用高热稳定性封装，使其在高功率耗散环境下仍能保持稳定运行，同时具备良好的抗热阻能力。此外，该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小电源系统的体积和重量。
在制造工艺方面，E47N50采用了先进的沟槽栅极技术，提高了器件的导通性能和开关速度。同时，该器件的硅基材料和封装结构优化了热管理和电气隔离性能，确保其在恶劣环境下的可靠运行。E47N50还具备较高的短路耐受能力，可以在短时间承受较大的电流冲击而不损坏，从而提高系统的安全性。
E47N50广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高电压和大电流处理能力的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机控制器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。在这些应用中，E47N50能够高效地进行电能转换和控制，提高系统的整体能效和稳定性。此外，该器件也适用于高功率LED照明系统、高频电源供应器以及其他需要高性能功率开关的电子设备。在设计过程中，工程师可以根据具体需求结合驱动电路和散热装置，以充分发挥E47N50的性能优势。
IRF540N, FDP55N50, STP47N50
