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SIR662DP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/12 14:32:44 查看 阅读:9

SIR662DP-T1-GE3是一款基于硅技术制造的超小型表面贴装整流二极管,属于 Vishay 的 SuperTan 系列。该器件采用 DPAK 封装形式,具有低正向压降和高浪涌电流能力的特点,非常适合用于高频、高效能的开关电源和功率转换电路中。

参数

最大反向电压:60V
  最大平均整流电流:2A
  峰值正向浪涌电流:87A
  正向电压(IF=2A):0.54V
  反向恢复时间:35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:DPAK (TO-263)
  潮湿敏感等级:MSL 1

特性

SIR662DP-T1-GE3 具有出色的热性能和电气性能。
  1. 超低正向压降确保在高电流应用中的效率最大化。
  2. 高浪涌电流能力使其能够承受短时的大电流冲击。
  3. 极快的反向恢复时间有助于减少开关损耗,在高频开关应用中表现出色。
  4. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境下的使用需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合无铅焊接工艺。
  6. 可靠性高,适用于工业级和汽车级应用。

应用

SIR662DP-T1-GE3 广泛应用于需要高性能整流的场合,例如:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC/DC 转换器中的续流二极管。
  3. 逆变器和电机驱动中的保护二极管。
  4. 太阳能逆变器及电池充电管理系统。
  5. 汽车电子系统中的负载突降保护和续流保护。

替代型号

SIR662DP-E3, SIR662DP-T1-G, FR60T12L

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SIR662DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs96nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4390pF @ 30V
  • 功率 - 最大104W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIR662DPSIR662DP-T1-GE3TRSIR662DPTRSIR662DPTR-ND