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E30NA50 发布时间 时间:2025/7/22 23:15:28 查看 阅读:6

E30NA50是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率开关应用设计。它具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器等高功率电子系统。该器件采用TO-220封装,具备良好的热稳定性和可靠性。E30NA50的主要优势在于其优异的导通和开关性能,能够有效降低能量损耗,提高系统效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):30A
  导通电阻(RDS(on)):0.15Ω(最大)
  功率耗散(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

E30NA50 MOSFET具有多项显著特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其漏源耐压(VDS)高达500V,适用于中高电压系统,如开关电源和逆变器。其次,导通电阻RDS(on)最大为0.15Ω,降低了导通损耗,提高了能效。此外,该器件可承载高达30A的连续漏极电流,具备出色的电流处理能力。
  E30NA50采用TO-220封装,具备良好的散热性能,确保在高功率条件下稳定运行。其栅源电压范围为±30V,具备较强的抗干扰能力,适用于各种驱动电路。该MOSFET还具备快速开关特性,减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和PWM控制电路。
  在可靠性方面,E30NA50具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),能够在恶劣环境下稳定运行。此外,其内部结构优化设计降低了寄生电容,提高了高频响应能力,有助于提升系统整体性能。总体而言,E30NA50是一款高性能功率MOSFET,适用于多种高功率电子设备。

应用

E30NA50广泛应用于多种高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和UPS(不间断电源)系统。其高耐压、低导通电阻和高电流承载能力使其成为工业控制、电动汽车充电器、太阳能逆变器以及家用电器中的理想选择。在电机控制领域,E30NA50可用于H桥驱动电路,实现高效的正反转控制。此外,在LED照明系统中,它也可作为功率开关,实现高效的恒流控制。由于其出色的开关性能,E30NA50还可用于高频谐振变换器和功率因数校正(PFC)电路。

替代型号

IRF840、FQA30N50、STP30NF50、2SK2647

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