E30NA50 时间：2025/7/22 23:15:28 阅读：9

E30NA50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率开关应用设计。它具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器等高功率电子系统。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和可靠性。E30NA50的主要优势在于其优异的导通和开关性能，能够有效降低能量损耗，提高系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

E30NA50 MOSFET具有多项显著特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其漏源耐压（VDS）高达500V，适用于中高电压系统，如开关电源和逆变器。其次，导通电阻RDS(on)最大为0.15Ω，降低了导通损耗，提高了能效。此外，该器件可承载高达30A的连续漏极电流，具备出色的电流处理能力。
　　E30NA50采用TO-220封装，具备良好的散热性能，确保在高功率条件下稳定运行。其栅源电压范围为±30V，具备较强的抗干扰能力，适用于各种驱动电路。该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　在可靠性方面，E30NA50具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），能够在恶劣环境下稳定运行。此外，其内部结构优化设计降低了寄生电容，提高了高频响应能力，有助于提升系统整体性能。总体而言，E30NA50是一款高性能功率MOSFET，适用于多种高功率电子设备。

应用

E30NA50广泛应用于多种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和UPS（不间断电源）系统。其高耐压、低导通电阻和高电流承载能力使其成为工业控制、电动汽车充电器、太阳能逆变器以及家用电器中的理想选择。在电机控制领域，E30NA50可用于H桥驱动电路，实现高效的正反转控制。此外，在LED照明系统中，它也可作为功率开关，实现高效的恒流控制。由于其出色的开关性能，E30NA50还可用于高频谐振变换器和功率因数校正（PFC）电路。