时间：2025/12/26 14:04:10
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E28F800C3TB70是英特尔（Intel）公司生产的一款并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash家族中的C3系列。该器件是一款非易失性存储器，采用先进的多层单元（MLC）技术与单一电压供电设计，能够在较低的功耗下实现较高的存储密度和可靠的读写性能。E28F800C3TB70的存储容量为80 Mbit（即10 MB），组织形式为4M x16位或等效的8M x8位模式，适用于需要中等容量、高可靠性嵌入式存储的应用场景。该芯片采用56引脚TSOP（Thin Small Outline Package）封装，工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C），适合在恶劣环境条件下稳定运行。由于其具备快速访问时间（典型值为70ns）、支持页编程和扇区擦除等特性，E28F800C3TB70广泛应用于通信设备、工业控制、网络路由器、打印机、医疗设备以及汽车电子系统等领域。尽管英特尔已逐步退出通用闪存市场，并将相关技术授权或转移给其他厂商，但该型号仍在许多遗留系统和工业设备中继续使用，具有较高的可维护性和长期供货保障。此外，该芯片支持命令集兼容JEDEC标准，便于通过通用编程器进行烧录和测试，也支持在线固件升级功能，提升了系统的灵活性与可维护性。
品牌：Intel
类型：StrataFlash Memory
系列：C3
容量：80 Mbit
组织结构：4M x 16 / 8M x 8
接口类型：并行（Async Interface）
供电电压：3.0V ~ 3.6V
访问时间：70ns
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装形式：56-TSOP
编程电压：单电源3.3V
擦除方式：扇区/整片擦除
写保护功能：硬件WP#引脚支持
数据保持期：10年（典型）
擦写次数：100,000次（典型）
E28F800C3TB70具备多项先进的闪存技术特性，确保其在复杂工业和通信环境中的高可靠性和稳定性。
首先，该芯片采用了Intel独有的StrataFlash C3技术，结合了多层单元（MLC）与纠错码（ECC）机制，在提升存储密度的同时保证了数据完整性。相比传统NOR Flash，它在相同面积内可提供更高的有效容量，且支持更精细的扇区管理结构，允许用户对特定区域进行独立擦除和编程操作，从而优化固件更新效率并延长整体寿命。
其次，E28F800C3TB70支持全电压范围内的单电源操作（无需额外的Vpp编程电压），简化了系统电源设计，降低了硬件复杂度。其内置的内部电荷泵可自动生成编程所需的高压信号，使得整个写入过程仅需外部提供3.3V主电源即可完成，极大地方便了嵌入式系统的集成。
再者，该器件具备快速读取能力（70ns访问时间），适用于需要高速指令执行的微控制器系统，尤其适合XIP（Execute In Place）应用，即直接从Flash中运行代码而无需加载至RAM，节省系统资源并提高响应速度。
此外，芯片集成了智能软件算法，包括自动定时擦除、错误恢复机制及写入暂停功能，可在不影响正在进行的操作前提下处理高优先级任务。其命令集符合JEDEC标准CFI（Common Flash Interface），能够被主流开发工具识别，便于调试、烧录和现场升级。
最后，E28F800C3TB70具有优异的环境适应性，通过严格的ESD防护和抗干扰设计，可在工业级温度范围内长期稳定工作，满足严苛应用场景下的耐久性要求。
E28F800C3TB70因其高可靠性、工业级温度支持和成熟的并行接口设计，被广泛应用于多个关键领域。
在通信基础设施中，该芯片常用于路由器、交换机和基站控制模块中存储引导程序（Boot Code）、操作系统映像和配置参数，支持远程固件升级和故障恢复功能，保障网络设备长时间无中断运行。
在工业自动化领域，它作为PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡的核心存储单元，用于存放控制逻辑、校准数据和实时日志信息，具备断电不丢失、抗振动和抗电磁干扰等优势。
消费类高端设备如数字复印机、激光打印机和多功能一体机也采用此芯片来存储固件和字体库，利用其快速读取特性提升打印处理速度。
在医疗电子方面，用于监护仪、超声设备和便携式诊断仪器中保存启动代码和设备参数，满足医疗器械对数据安全性和长期稳定性的严格要求。
此外，在车载信息系统和车载通信模块中，E28F800C3TB70可用于存储导航地图数据或通信协议栈，其宽温特性和高耐用性非常适合车载环境。
由于该芯片已被广泛验证并在多年实际应用中表现出色，许多OEM厂商在其产品生命周期较长的设计中仍选择继续使用该型号，以确保兼容性和供应链稳定性。
JS28F800C3TB70
ES28F800C3TB70
MT28F800C3TB70
