类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：60V
　　最大漏极电流 (Id)：10A（连续）
　　导通电阻 (Rds(on))：0.18Ω（最大）
　　最大耗散功率 (Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

SB1680FCT T/P 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率。其最大导通电阻为 0.18Ω，使得该器件在大电流应用中依然能够保持较低的功耗。此外，该 MOSFET 具有较高的最大漏极电流（10A 连续），适用于需要较高功率输出的电路。该器件的封装形式为 TO-220，具备良好的散热能力，能够有效降低温度上升，提高系统的稳定性和寿命。
　　这款 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，适用于中低压电源转换应用，如 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等。其工作温度范围宽，从 -55°C 到 +175°C，确保了在各种环境条件下都能稳定工作。此外，该器件的封装设计使其易于安装和散热，适用于多种 PCB 设计和应用场合。
　　SB1680FCT T/P 还具备较高的耐用性和可靠性，适用于工业和汽车电子系统中对稳定性要求较高的应用。其内部结构优化设计，降低了开关损耗，提高了整体效率。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，通常为 4.5V 至 10V，适用于多种驱动电路。

SB1680FCT T/P 适用于多种功率电子应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机控制电路、负载开关、电池管理系统、电源管理模块和工业自动化设备。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效率电源转换系统中表现出色，特别适用于需要频繁开关操作的场合。此外，该 MOSFET 也可用于汽车电子系统，如电动车辆的电池管理系统、车载充电器和照明控制系统等。在工业控制领域，它可用于驱动继电器、电磁阀和高功率 LED 照明系统。

IRFZ44N, FDPF6N60, STP10NK60Z