E28F016XD85 时间：2025/12/26 16:18:30 阅读：15

E28F016XD85是一款由Intel公司推出的16兆位（Mbit）的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash技术架构下的产品系列。该器件采用非易失性存储技术，能够在断电后依然保持存储的数据，适用于需要高可靠性和持久数据存储的应用场景。E28F016XD85的存储容量为16 Mbit，等效于2 MB（字节），组织形式为2,112,000字，每个字为8位，支持字节模式读写操作。该芯片采用标准的5V供电电压，具备与微处理器和微控制器兼容的高速并行接口，广泛用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和网络设备中作为程序存储或固件存储介质。
　　E28F016XD85支持Intel的多层单元（MLC）技术，通过在单个存储单元中存储多个比特信息，提高了存储密度并降低了单位成本。尽管其写入和擦除速度相比现代NOR Flash略显缓慢，但在发布时期代表了高性能和高可靠性的解决方案。该芯片支持扇区擦除、块擦除和整片擦除功能，便于实现精细的存储管理与现场固件升级。此外，它还具备硬件写保护功能，防止意外修改关键代码或数据，增强了系统的安全性与稳定性。

参数

容量：16 Mbit (2 MB)
　　电压：5V 单电源供电
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　访问时间：85ns
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　封装形式：44引脚 TSOP (Type II) 或 48引脚 LCC
　　组织结构：2,112,000 x 8 位
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需额外Vpp
　　擦除方式：扇区擦除（可选择性擦除）、整片擦除
　　写保护：支持硬件写保护（WP# 引脚）
　　待机电流：典型值 100 μA
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：10 年以上

特性

E28F016XD85采用Intel专有的StrataFlash技术，该技术结合了NOR Flash的快速随机访问能力与多层单元（MLC）的高密度存储优势，实现了在相同硅片面积下更高的存储容量。StrataFlash允许每个存储单元存储多个比特（通常为2比特），从而将有效存储密度提升一倍，相较于传统单层单元（SLC）NOR Flash，在成本和空间利用方面具有显著优势。这种技术特别适合对成本敏感但又需要较大程序存储空间的应用，例如网络路由器、工业控制器和电信基础设施设备。
　　该芯片具备高速读取性能，访问时间低至85纳秒，能够满足大多数嵌入式系统对实时启动和代码执行的需求。其并行8位接口与通用微处理器和微控制器总线完全兼容，无需复杂的协议转换逻辑，简化了系统设计并降低了开发难度。此外，E28F016XD85内置电荷泵电路，可在内部生成编程和擦除所需的高压，无需外部提供Vpp编程电压，进一步简化了电源设计和PCB布局。
　　在可靠性方面，E28F016XD85支持超过10万次的编程/擦除周期，并保证数据在常温下保存至少10年，适合长期运行且需要频繁固件更新的工业环境。芯片提供多种擦除模式，包括按扇区（最小单位）擦除和整片擦除，支持灵活的软件更新策略。硬件写保护引脚（WP#）可在物理层面锁定存储内容，防止因系统异常或恶意操作导致的关键代码损坏。同时，该器件符合工业标准JEDEC接口规范，便于替换和系统维护。

应用

E28F016XD85广泛应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，其中用于存储引导代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。其快速读取能力和高可靠性确保系统能够快速启动并稳定运行。在工业自动化领域，该芯片常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块中，存储控制逻辑程序和系统参数。
　　此外，E28F016XD85也适用于电信基础设施设备，如基站控制器、接入网关和数字交叉连接系统，这些设备要求长时间运行和高数据完整性。在消费类电子产品中，虽然逐渐被更小封装和更低功耗的串行Flash取代，但在一些老式多媒体播放器、打印机和POS终端中仍有使用。由于其支持现场可编程和多次擦写，非常适合需要远程固件升级（FOTA）或现场维护的系统。同时，该芯片也被用于汽车电子中的车身控制模块和仪表盘系统，尤其是在早期车型中，作为存储仪表程序和校准数据的介质。