制造商：Intel
　　系列：StrataFlash?
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　架构：NOR Flash
　　组织结构：2M x 8 位
　　工艺技术：基于0.25微米制造工艺
　　供电电压：2.7V 至 3.6V（正常读取）
　　访问时间：70ns / 90ns 可选
　　封装形式：TSOP-48、FBGA-48
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　写入耐久性：典型值为10万次擦写周期
　　数据保持时间：大于10年
　　接口类型：并行异步接口
　　编程方式：支持页编程（Page Programming）
　　擦除单位：可按扇区（Sector）或整片（Bulk）擦除
　　写保护功能：硬件写保护引脚（WP#）和软件写保护机制
　　待机电流：低至10μA（典型值）
　　读取电流：约15mA（典型值）
　　编程/擦除电流：约50mA（典型值）

E28F016SV具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有较强的竞争力。首先，它采用了Intel独有的StrataFlash技术，这是一种结合了NOR Flash高速随机访问能力与多层单元（MLC）高密度优势的技术，允许每个存储单元存储多个数据状态，显著提升了存储效率而不牺牲太多可靠性。这种架构特别适合用于存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像、配置参数等需要快速读取和长期保存的数据。
　　其次，该芯片支持灵活的扇区架构，整个16Mbit空间被划分为多个可独立擦除的扇区，最小擦除单位通常为64KB或更小，这使得用户可以在不干扰其他数据的情况下更新特定区域的内容，极大提高了固件升级的灵活性和安全性。此外，芯片内置智能算法支持自动擦除验证和错误补偿，确保每次擦除操作都彻底完成，减少因残留数据导致的写入失败风险。
　　再者，E28F016SV具备出色的环境适应性和可靠性。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于户外通信设备、工业自动化控制器等严苛应用场景。同时，器件经过严格的老化测试和可靠性验证，具备长达10年以上的数据保持能力，并支持高达10万次的擦写寿命，远超一般消费类闪存产品。
　　另外，该芯片集成了丰富的保护机制，包括硬件写保护引脚（WP#）、软件锁定功能以及上电复位电路，有效防止误操作或电源波动引起的意外数据修改。其低功耗设计也是一大亮点，在待机模式下电流消耗可低至10μA，有助于延长电池供电系统的续航时间。最后，E28F016SV提供多种封装选项（如TSOP-48和FBGA-48），便于在不同PCB布局中实现高密度集成。尽管该型号现已不再推荐用于新设计，但其成熟的设计和稳定的性能仍使其在维护现有系统时具有重要价值。

E28F016SV主要用于各类需要可靠、快速读取非易失性存储的嵌入式系统中。一个典型的应用是在网络通信设备中作为固件存储器，例如路由器、交换机和DSL调制解调器，其中该芯片用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统镜像和设备配置信息。由于其支持快速随机访问，CPU可以直接从该闪存中执行代码（XIP, eXecute In Place），避免了将程序加载到RAM的步骤，从而节省内存资源并加快启动速度。
　　在工业控制系统中，E28F016SV常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块的程序存储介质。这类应用通常要求长时间运行且不能轻易更换硬件，因此对存储器的可靠性和耐久性有极高要求，而E28F016SV的工业级温度范围和高擦写寿命正好满足这些需求。
　　此外，该芯片也被广泛应用于电信基础设施设备，如基站控制板、接入网关和光网络单元（ONU），用于存储设备初始化代码和运行参数。在这些系统中，数据完整性至关重要，E28F016SV提供的硬件写保护和错误管理机制能够有效防止关键数据被意外覆盖或损坏。
　　消费类电子设备中也有其身影，例如高端打印机、POS终端和多媒体播放器，用于保存设备驱动程序、字体库或用户界面资源。虽然如今许多新产品已转向SPI NOR Flash或eMMC等更现代的存储方案，但在一些仍在生产的旧平台或维修备件市场中，E28F016SV依然发挥着重要作用。对于需要长期维持原有设计兼容性的维护项目而言，该芯片仍然是一个值得信赖的选择。

MT28EW016ADA-0-SIT
　　S29GL016D90TFIR2
　　IS26LV1027B-45NBI