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50610 发布时间 时间:2025/7/22 12:28:09 查看 阅读:5

50610 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性,适合在高效率开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等电路中使用。该 MOSFET 采用 TO-220 封装形式,便于安装和散热。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):0.018Ω(典型值)
  功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-220

特性

50610 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其导通电阻非常低,仅为 0.018Ω,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要,能够显著减少热量产生。
  其次,该器件的最大漏源电压为 60V,可适用于多种中高压功率转换电路。栅源电压范围为 ±20V,确保了在不同控制电路中的稳定工作。连续漏极电流高达 50A,表明其具备较强的负载能力,适用于大功率开关应用。
  此外,50610 的 TO-220 封装不仅提供了良好的散热性能,还方便在 PCB 上安装和使用。其最大功耗为 160W,在适当的散热条件下可以稳定工作于高温环境。工作温度范围从 -55°C 到 175°C,使其适用于各种工业和汽车电子应用。
  这款 MOSFET 还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。同时,其内部结构设计优化,减少了寄生电容,从而提升了高频应用中的性能表现。

应用

50610 MOSFET 主要用于需要高效能功率开关的电路中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、负载开关以及电源管理模块。由于其高电流能力和低导通电阻,它在高功率密度设计中尤其受欢迎。例如,在电源适配器、服务器电源、工业控制系统以及电动汽车充电设备中均有广泛应用。
  此外,该器件还可用于逆变器和 UPS(不间断电源)系统,作为主功率开关器件使用。在这些应用中,50610 能够提供稳定的性能和较长的使用寿命,满足高可靠性的需求。

替代型号

IRFZ44N, FDP6030L, STP55NF06, IRLB8726

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50610参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列EMIT
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 类型电离器
  • 安装类型悬挂式
  • 电压 - 输入-