50610 时间：2025/7/22 12:28:09 阅读：9

50610 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性，适合在高效率开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等电路中使用。该 MOSFET 采用 TO-220 封装形式，便于安装和散热。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220

特性

50610 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其导通电阻非常低，仅为 0.018Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要，能够显著减少热量产生。
　　其次，该器件的最大漏源电压为 60V，可适用于多种中高压功率转换电路。栅源电压范围为 ±20V，确保了在不同控制电路中的稳定工作。连续漏极电流高达 50A，表明其具备较强的负载能力，适用于大功率开关应用。
　　此外，50610 的 TO-220 封装不仅提供了良好的散热性能，还方便在 PCB 上安装和使用。其最大功耗为 160W，在适当的散热条件下可以稳定工作于高温环境。工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其适用于各种工业和汽车电子应用。
　　这款 MOSFET 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其内部结构设计优化，减少了寄生电容，从而提升了高频应用中的性能表现。

应用

50610 MOSFET 主要用于需要高效能功率开关的电路中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关以及电源管理模块。由于其高电流能力和低导通电阻，它在高功率密度设计中尤其受欢迎。例如，在电源适配器、服务器电源、工业控制系统以及电动汽车充电设备中均有广泛应用。
　　此外，该器件还可用于逆变器和 UPS（不间断电源）系统，作为主功率开关器件使用。在这些应用中，50610 能够提供稳定的性能和较长的使用寿命，满足高可靠性的需求。